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本章内容 MOS二极管 MOSFET基本原理 MOSFET按比例缩小 CMOS与双极型CMOS 绝缘层上MOSFET MOS存储器结构 功率MOSFET MOSFET有许多种缩写形式，如IGFET、MISFET、MOST等． MOSFET为四端点器件，n沟道MOSFET的透视图如图所示．由一个有两个n+区域(即源极与漏极)的p型半导体所组成． 氧化层上方的金属称为栅极(gate)，高掺杂或结合金属硅化物的多晶硅可作为栅极电极，第四个端点为一连接至衬底的欧姆接触．(p沟道MOSFET的源漏区分？) 基本的器件参数有沟道长度L(为两个n+-p冶金结之间的距离)、沟道宽度Z、氧化层厚度d、结深度rj以及衬底掺杂浓度NA. 器件中央部分即为MOS二极管． MOSFET基本原理 2 SiO L + n + n j r Z d p 衬底 z ) ( y E y ) ( x E x 源极 栅极 漏极 2 SiO L + n + n j r Z d p 衬底 衬底 z ) ( y E y ) ( x E x z ) ( y E y ) ( x E x 源极 栅极 漏极 MOSFET中源极接地点作为电压的参考点． 当栅极无外加偏压时(VG=0)，源极到漏极电极之间可视为两个背对背相接的p-n结，而由源极流向漏极的电流只有反向漏电流． MOSFET的基本特性 当外加一足够大的正电压于栅极上时(VG 0,且VG VT) ，MOS结构将被强反型，以致于在两个n+型区域之间形成表面反型层即沟道．源极与漏极通过这一导电的表面n型沟道相互连结，并可允许大电流流过． 沟道的电导可通过栅极电压的变化来改变沟道中载流子的浓度加以调节．衬底接点可连接至参考电压或相对于源极的反向偏压，衬底偏压亦会调节VT的大小而影响沟道电导． MOSFET基本原理 前提： VG VT ．若在漏极加一小量电压VD较小 ，电子将会由源极经沟道流向漏极(对应电流为由漏极流向源极)．因此，沟道的作用就如同电阻一般，漏极电流ID与漏极电压VD成比例，此即如图(a)右侧恒定电阻直线所示的线性区． 一、输出特性（通过沟道电导来推导） ： MOSFET基本原理 沟道呈现电阻特性，当漏-源电流通过沟道电阻时将在其上产生电压降。沟道上存在的电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐渐减小，降落在栅下各处绝缘层上的电压不相等，反型层厚度不相等，因而导电沟道中各处的电子浓度不相等。 当VD持续增加，直到漏端绝缘层上的有效电压≤VT时，在靠近y=L处的反型层厚度xi≈0，此处称为夹断点P，此时的漏-源电压称为饱和电压VDsat。 当VDVDsat超过夹断点后，漏极的电流量IDsat基本上维持不变，因为当时，在P点的电压VDsat保持固定． MOSFET基本原理 沟道被夹断后，若VG不变，则当漏极电压持续增加时，超过夹断点电压VDsat的那部分即VDS-VDsat将降落在漏端附近的夹断区上，因而夹断区将随VDS的增大而展宽，夹断点P随之向源端移动，但由于P点的电压保持为VDsat不变，反型层内电场增强而同时反型载流子数减少，二者共同作用的结果是单位时间流到P点的载流子数即电流不变。一旦载流子漂移到P点，将立即被夹断区的强电场扫入漏区，形成漏源电流，而且该电流不随VDS的增大而变化，即达到饱和。此即为饱和区，如图(c)所示． MOSFET基本原理 当然，如果VDS过大，漏端p-n结会发生反向击穿。 为推导出基本的MOSFET特性，将基于下列的理想条件： (1)栅极结构如理想MOS二极管，即无界面陷阱、固定氧化层电荷或功函数差； (2)仅考虑漂移电流； (3)反型层中载流子的迁移率为固定值； (4)沟道内杂质浓度为均匀分布； (5)反向漏电流可忽略； (6)沟道中由栅极电压所产生的垂直于ID电流方向的电场远大于由漏极电压所产生的平行于ID电流方向的电场． 最后的一个条件称为缓变沟道近似法，通常可适用于长沟道的MOSFET中，基于此种近似法，衬底表面耗尽区中所包含的电荷量仅由栅极电压产生的电场感应所生成． MOSFET基本原理 图(a)为工作于线性区的MOSFET．根据上述的理想条件，如图(b)所示，在半导体中距离源极长度为y处的每单位面积所感应的电荷，其为图(a)中间的放大部分，由式 可得 单位面积感应电荷量QS 和 其中Ψs(y)为位于y处的表面电势，而Co=εox/d为每单位面积的栅极电容． MOSFET基本原理 由于QS为反型层中每单位面积电荷量Qn与表面耗尽区中每单位面积的电荷量QSC的总和，所以我们可以得到 将上式代入前式可