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清楚：复合中心的Et四个微观过程 了解：非平衡载流子净复合率导出思路和使用 清楚：金在硅中的复合作用 EtA EtD 简释：表面复合 常用表面复合速度描写表面复合 解释：寿命τ是“结构灵敏”的参数 俄歇复合 了解：俄歇复合三粒子过程 解释：陷阱效应 陷阱中心 清楚：杂质能级处于什么样位置最有利于陷阱作用 了解：陷阱对附加电导率影响 清楚：几种典型条件下非平衡载流子扩散分布 了解：爱因斯坦关系导出思路 简释：爱因斯坦关系 了解：连续性方程式导出思路 能使用连续性方程式处理典型条件问题 了解：测量半导中载流子迁移率 了解：连续性方程解决表面复合问题 给出在半导体材料长度为L中引起电场为E的掺杂浓度分布 半导体材料中，杂质浓度分布为Nd x Nd0exp －x/L （0≤x≤L） （a）导出电子扩散电流密度表述 （b）给出刚好抵消扩散电流密度的漂移电流密度的电场E -3L -L 3L L 0 x 讨论如图n型半导体，光照下产生恒定过剩载流子产生率G。在区域-L x +L.假设少子寿命无穷,过剩载流子浓度在x -3L和x +3L处为0.给出0偏和小注入情况下稳态过剩载流子浓度随x的变化. 第6章 pn结 电流电压特性 对理想I-V修正 电容效应 击穿特性 熟悉：pn结及其能带图 pn结接触电势差 pn结的载流子分布 简释：耗尽层近似、空间电荷区势垒区 pn结电流电压特性 清楚：非平衡状态下的pn结的能带变化 始终抓住破坏平衡（载流子扩散运动和漂移运动） 　 非平衡载流子的电注入 pn结中电流分布情况 简释： 谷间散射 中性杂质散射 位错散射 合金散射 清楚： 迁移率与杂质浓度和温度的关系 （平均自由时间和散射概率的关系） 平均自由时间的数值等于散射概率的倒数 电导率、迁移率与平均自由时间 的关系 一般情况下：电子迁移率大于空穴 迁移率原因 迁移率与杂质和温度的关系 对不同散射机构迁移率与温度的关系为 电离杂质散射 μi∝Ni-1T3/2 声学波散射 μs∝T-3/2 光学波散射 μ0 ∝[exp（h?1 /k0t）-1] 硅电子和空穴迁移率与杂质和温度的关系 处理问题： 有许多散射机构存在时，要找出起主要作用的散射构机，它的平均自由时间特别短，散射概率特别大，其他贡献可以略去，迁移率主要由这种机构决定。 能定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化 掺杂的锗、硅等（原子晶体），主要散射机构是声学波散射和电离杂质散射。 μs和μi可写为 μs ?q/（m*AT3/2 ） μi qT3/2/（ m*BNi ） ?1/ μ 1/μs+1/μi 了解： 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，如砷化镓，光学波散射也很重要，迁移率为 ??1/ μ 1/μs+1/μi +1/μ0 熟悉：对下式简单讨论 注意： 高补偿材料，载流子浓度决定于两种杂质浓度之差，但载流子迁移率与电离杂质总浓度有关。 电阻率及其与1.杂质浓度，2.温度的关系 电阻率决定于载流子浓度和迁移率，与杂质浓度和温度有关。 电阻率和杂质浓度的关系 了解： 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线 原因： 一是杂质在室温下不能全部电离，重掺杂的简并半导体中情况更加严重； 二是迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 电阻率随温度的变化 掺杂半导体，杂质电离、本征激发同时存在，电离杂质散射和晶格散射机构的存在，电阻率随温度的变化关系复杂，图表示一定杂质浓度的硅样品的电阻率和温度的关系，解释三段变化原因。 硅?与T关系 0 ? A B C T 了解： 玻耳兹曼方程、电导率的统计理论思路 了解： 强电场下的效应（欧姆欧姆定律偏离） 解释：热载流子 强电场下欧姆定律发生偏离的原因： 　　载流子与晶格振动散射时的能量交换 强场情况，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子和晶格系统不再处于热平衡状态。 温度是平均动能的量度，载流子的能量大于晶格系统的能量，引进载流子的有效温度Te来描写与晶格系统不处于热平衡状态的载流子，并称这种状态的载流子为热载流子。 了解：解决平均漂移速度与电场强度的关系思路 解释： 多能谷散射 耿效应 1/mn* ~d2 E/d2 k 微分负电导 n1、n2分别代表能谷1和能谷2中的电子浓度，而n n1+n2，则 电流密度 平均迁移率 平均漂移速度 导电率为 高场畴区及耿振荡 　　 二．（1）作图描述硅中电子漂移速度随电场的变化（10分） （2）饱和漂移速度值和速度饱和的临界电场随杂质浓度如何变化，说明基本理由。（15分） 三．试给出测量迁移率的实验方法（15分 二．说明载流子迁移率与温度的关系，并说明为什么在某一温度处具有最大峰值。（15分） 第5章 非平衡载流子 在非简并情况下，平衡载流