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emi滤波器设计规范

EMI滤波器设计规范 目的: 抑制设备内部EMI,通过电源线,对电网和其他电子设备的干扰,通过EMC的传导和辐射试验测试; 抑制电网和外部设备EMI通过电源输入线对设备的干扰,通过EMC的抗扰度试验测试; 参考标准: GJB 151A-97 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GB/T 17626.1-1998 电磁兼容 实验和测量技术 抗扰度实验总论 GB 17625.1-2003 电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流镇≤16 A) GB/T 14472-1998 抑制电源电磁干扰用固定电容器 设计原则: 阻抗失配原则:源内阻是高阻抗的,则滤波器的输入阻抗就应该是低阻抗的,反之也同样成立; 干扰分离原则:共模干扰与差模干扰分开测量,分开设计滤波参数; 设计要求: 规定要求的阻带频率和阻带衰减;(满足某一特定频率fstop有需要Hstop的衰减);对电网频率低衰减(满足规定的通带频率和通带低衰减); 低成本。 滤波器模型 滤波器设计一般含有共模电感和差模电感,如果差模电感以共模电感的漏感代替,设计电路为下图: 图1:EMI滤波器典型结构 设计电路的模型为下图 图2:一般模型 共模模型如下 图3:共模模型 ?? LCM=LC+LD/2 (1) ??? CCM=2CY (2) (LCLD/2) 差模模型如下: 图4:差模模型 ? LDM=2LD+LC (3) CDM=Cx1/2=Cx2/2(4) 图5:衰减曲线 滤波器设计: 测量干扰源等效阻抗Zsource和电网等效阻抗测量出未加滤波器前的干扰噪声频谱,并利用噪声分离器将共模噪声VMEASUREE,CM和差模噪声Vmeasure,CM分离,做出相应的干扰频谱计算滤波器所需要的共模、差模衰减(Vreq,CM)dB=(Vmeasure,CM)-(Vstandard,CM)+3dB(Vreq,DM)dB=(Vmeasure,DM)-(Vstandard,DM)+3dB斜率分别为40dB/dec和60dB/dec的两条斜线与频率轴的交点即为fR,CM和fR,DM。作Vmeasure,CM-f和Vmeasure,DM-f的切线,切线斜率分别为40dB/dec和60dB/dec,比较可知,只要测量他们与频率轴的交点,即可得出fR,CM和fR,DM 图6:差模滤波参数确定:实线为共模目标衰减;虚线为斜率为40dB/dec切线 图7:共模滤波参数确定:实线为差模目标衰减;虚线为斜率为60dB/dec切线的制约。电容即跨接在相线或中线与安全地之间的电容。接地的电流主要就是指流过共模电容的电流,由于流过电容的电流由电源电压,电源频率和电容值共同决定,所以漏电流可以由下式估算: 其中为 电源电压,为电源频率。 由于漏电流的大小对于人生安全至关重要,不同国家对不同电子设备接地漏电流都做了严格的规定。若对最大漏电流做出了规定,则可由(11)式可以求出最大允许接地电容值(即电容的值): (12) 如GJB151A-97中规定,每根导线的线与地之间的电容值,对于50Hz的设备,应小于对于400Hz的设备,应小于;对于负载小于0.5kW的设备,滤波电容量不应超过。标准中的规定除了要满足(12)式外,还要求电容在电气和机械安全方面有足够的余量,避免在极端恶劣的条件下出现击穿短路的现象。因为这种电容要跟安全地相连,而设备的机壳也要跟安全地相连,所以这种电容的耐压性能对保护人生安全有至关重要的作用,一旦设备或装置的绝缘失效,可能危及到人的生命安全。因此电容要进行1500-1700V交流耐压测试1分钟。 各国家的泄漏电流规定如下: X电容: CX指的是应用于这样的场合:当电容失效后,不会导致电击穿现象,不会危及人生安全。CX除了要承受电源相线与中线的电压之外,还要承受相线与中线之间各种干扰源的峰值电压。根据差模电容应用的最坏情况和电源断开的条件,CX电容器的安全等级又分为CX1和CX2两个等级 CX电容等级 用于设备的峰值电压VP 应用场合 在电强度试验期间所加的峰值电压VP CX1 VP1.2kV 出现瞬态浪涌峰值 对C0.33uF, VP=4kV 对C0.33uF, VP=kV CX2 VP1.2kV 一般场合 1.4kV 若CX的安全性能(即耐压性能)欠佳,在上述的峰值电压出现时,它有可能被击穿,它的击穿虽然不危及人生安全,但会使得滤波器的功能下降或丧失。通常EMI滤波

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