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石英晶体振荡器与外围电路关系

石英晶体振荡器LC振荡器 三端式LC振荡电路是经常被采用的,其工作频率约在几MHz到几百MHz的范围,频率稳定度也比变压器耦合振荡电路高一些,约为10–3~10–4量级,采取一些稳频措施后,还可以再提高一点。 三端式LC振荡电路以分为电感三端式和电容三端式 电容三端式又分为串联型电容三端式和并联型电容三端式(也有叫三点式)。 并联型电容三端式: 电容反馈式振荡电路,如图1a。 振荡频率  (公式1)  反馈系数 (公式2) 集电极等效负载:  (公式3) a b 图1  在这个电路中若要提高电容反馈式振荡电路的振荡频率,势必要减小C1和C2的电容量和L的电感量。实际上不C1和C2的电容量减小到一定程度时,晶体管的极间电容和电路中的杂散电容将纳入C1和C2中,从而影响振荡频率。这些电容等效为放大电路的输入电容Ci和输出电容C。,如图1b中所标注。 电路的优点: 电容反馈三端电路的优点是振荡波形好。 电路的频率稳定度较高,适当加大回路的电容量,就可以减小不稳定因素对振荡频率的影响。 电容三端电路的工作频率可以做得较高,可直接利用振 荡管的输出、输入电容作为回路的振荡电容。它的工作频率可做到几十MHz,采用共基放大电路可做到几百MHz的甚高频波段范围。 电路的缺点: 调C1或C2来改变振荡频率时,反馈系数也将改变。 改进型电容反馈式振荡电路,如图2: 图2 在电感支路串联一个小容量电容C,而且C<<C1,C<<C2,这样 总电容约为C,因面电路的振荡频率为: (公式4) 二、石英晶体振荡器1 、石英晶体的压电特性 石英晶体所以能成为电谐振器,是利用了它所特有的正、反两种压电效应。所谓正压电效应,就 是当沿晶体的电轴或机械轴施以张力或压力时,就在垂直于电轴的两面上产生正、负电 荷,呈现出电压。负压电效应是指当在垂直于电轴的两面上加以交变电压时,晶体将会沿电轴或机械轴产生弹性变形(伸张或压缩),称为机械振动。 2 、石英晶体的谐振特性: 因为石英晶体和其它弹性体一样,具有弹性和惯性,因而存在着固有振动频率。当外加电信号频率在此自然频率附近时,就会发生谐振现象。它既表现为晶片的机械共振,又在电路上表现出电谐振。石英晶体的阻抗频率特性 石英晶振可以等效为一个串联谐振回路或一个并联谐振回路 石英晶体的等效电路如下虚线部份: 其频率特性如下: 串联谐振频率: 并联谐振频率: 当振荡频率为f=fq 时,Lq,Cq,rq支路呈感性,与C0产生并联谐振。,石英晶体呈纯阻性。 由于CqCo  所以fp≈fs , fs越接近fp石英晶体呈感性的频带愈狭窄。 4、其它特性: 由于晶振的Q值和特性阻抗R都很高,所以晶振的谐振电阻也很高,一般可达1010?以上。这样即使外电路接入系数很小,此谐振电阻等效到晶体管输出端的阻抗仍很大,使晶体管的电压增益能满足振幅起振条件的要求。 5、反馈系数 反馈系数,若增大C1/C2,则一方面反馈系数数值随之增大,,环路增益大,值过大时减小,,从而造成电压放大倍数数值减小,振荡稳定性会变差比值通常取1.2~2.4。标频f越高,比值趋近2.4;标频率f越低,比值趋近1.2 ? 图3恒温晶体振荡器原理框图 OCXO的主要优点是,由于采用了恒温槽技术,频率温度特性在所有类型晶振中是最好的,由于电路设计精密,其短稳和相位噪声都较好。主要缺点是功耗大、体积大,需要5分钟左右的加热时间才能正常工作等。 补偿晶体振荡器(以下简称TCXO)。 其对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段,主要原理是通过感应环境温度,将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率,达到稳定输出频率的效果。传统的TCXO是采用模拟器件进行补偿,随着补偿技术的发展,很多数字化补偿大TCXO开始出现,这种数字化补偿的TCXO又叫DTCXO,用单片机进行补偿时我们称之为MCXO,由于采用了数字化技术,这一类型的晶振再温度特性上达到了很高的精度,并且能够适应更宽的工作温度范围,主要应用于军工领域和使用环境恶劣的场合。其设计原理如图4。 ? 图4 MCXO数字温补晶振原理框图 压控晶体振荡器(VCXO) 这是根据晶振是否带压控功能来分类,带压控输入引脚的一类晶振叫VCXO,以上三种类型的晶振都可以带压控端口。 四、基本术语。 一些常用的谐振器术语: Frequency Tolerance(调整频差):在规定条件下,在基准温度(25±2℃)与标称频率允许的偏差。一般用PPm(百万分之)表示。 Frequency Stability(温度频差):指在规定的工作温度范围内,与标称频率允许的偏差。用PPm表示。 Aging(年老化率):在规定条件下,晶体工作频率随时间

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