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2015-09-26 发布于重庆
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YIG薄膜磁性能的影响

第22卷第2期材料研究学报 Vbl．22No．2 00 CHINESEJOURNALOF 2 2 8年4月 MATERIALSRESEARCH 008 April 退火工艺对射频磁控溅射Bi：YIG薄膜磁性能的影响杨青慧张怀武刘颖力文岐业 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054) 摘要对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi：YIG系薄膜，用快速循环退火方法对其进行晶化处理，研究了遇火温度对Bi：YIG薄膜结晶状态和形貌的影响，以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响．结果表明，用快速循环退火可以在Si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139kh／m，矫顽力6．37kA／m)并使薄膜形貌有较大改善，在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍．关键词无机非金属材料，快速循环退火，Bi：YIG薄膜，饱和磁化强度，矫顽力．分类号TB321 文章编号1005—3093(2008)02—0187-04 Theeffectof tothe ofBi：YIG magneticproperties annealing ．filmRF onSisubstrate by magnetronsputtering YANG ZHANGHuaiwu”LIUWEN Qinghui Yingli Qlye and DevicesState ThinFtlm Integrated Laborator!，． (Electronic Key ElectronicScienceand Universityol TechnologyoIChina，Chengdu610054) NationalNatare FundsforT龇entedProfessionalsNo 事Supportedby Science receivedMarch revisedform Manuscript 12，2007；in August24，2007．料To whom shouldbe correspondence ABSTRACTBi：YIGf．Imwas onSisubstratesradio Amorphous deposited by and recurrentthermal effectsof sputteringcrystallizedby rapid annealing(RRTA)method．Theheating