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一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
第 36 卷第 6 期 微 电 子 学 Vol36 , №6
2006 年 12 月 Micr oelect r onics Dec2006
一种低温漂低电源电压调整率 CMOS 基准电流源
刘国庆 , 于 奇 , 刘 源 , 宁 宁 , 何 波 , 罗静芳 , 杨谟华
( 电子科技大学 , 四川 成都 6 10054)
摘 要 : 通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发 ,获取负温系数电压 ,实现负温系数电流获取
新方法 ,发展令 PMO SF E T 源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消 ,从而优化电源电压调整
μ
率的新概念 ,提出了一种 CMO S 基准电流源新方案 。源于 SM IC 0 . 35 m CMO S 工艺模型 。Ca
dence H spice 模拟验证结果表明 ,在 - 40～85 ℃温度范围内,温度系数为 6 . 9 pp m/ ℃;3 . 0～3 . 6 V
电压区间 , 电源电压调整率系 10 . 6 pp m/ V ,低于 目前文献报道的基准电流源相应指标 。该新方案
已经用于 10 位 100 M SP S A/ D 转换器的研究设计 ,并可望应用于高精度模拟/ 混合信号系统的
开发 。
关键词 : CMO S 基准电流源 ; 负温系数电流 ; 低温漂 ; 低电源电压调整率
中图分类号 : TN43 1. 1 文献标识码 : A 文章编号 (2006)
A Novel CMOS Current Ref erence with Low Temperature
and Supply Dependence
L IU Guoqin g , YU Qi , L IU Yuan , N IN G Ning , H E Bo , L U O J ingf ang , YAN G Mohua
( )
Uni vers i ty of E lect ronic S cience an d Technology of Chi na , Cheng d u , S ichuan 6 10054 , P. R . Chi na
A new CMO S current reference solution i s p resent ed by creating a new negative t emp erat ure coefficient
Abstract :
current result ed f rom negative t emp erat ure coefficient volt age , which i s generat ed in t he bandgap circuit who se zero
t emp erat ure coefficient point i s sp ecially configured , and p ropo sing low line regulation mechani sm , which i s realized
by comp en satin
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