抗光散射双掺铌酸锂晶体全息存储特性及其应用的研究.pdf

喻尔演T业大学理学博卜学位论叟： 录时间增加至最大值后迅速下降的自擦除现象。并且这种现象与入射光总光 强的变化及两记录光束的光强比有关。 还原态Zn：Fe：LiNbO，晶体的自擦除现象从实验上验证了无机晶体受迫 振予模型双响应速率的预言。在该晶体中，空穴电场和电子电场的响应时间 不同是导致自擦除现象的根本原因。本文利用双载流子．四陷阱模型解释了这 种现象。 关键词全息存储及识别；光折变晶体；吸收光谱；还原处理 Abstract Abstract Themass volume isthemost optical holographicstorage promising becauseofits andfastdata technology highstoragecapacity，parallelprocessing transferrate．Atthesame f