提拉法晶体生长数值模拟研究进展.pdfVIP

维普资讯 第 34卷 第4期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34 No．4 2005年 8月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTAI_S August，2005 提拉法晶体生长数值模拟研究进展 邵淑芳，张庆礼 ，苏 静，孙敦陆，王召兵 ，张 霞，殷绍唐 (中国科学院安徽光学精密机械研究所，合肥 230031) 摘要：数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段，可以为晶体生长工艺参数的设定、温 场设计等提供参考。本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展，同时 对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数 值模拟进行 了介绍 。 关键词 ：提拉法 ；数值模拟；晶体生长；对流；界面形状 中图分类号 ：0782 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2005)04-0687-06 ResearchProgressinNumericalSimulationfor CrystalGrowthbyCzochralskiM ethod SHAOShu-fang，ZHANGQing—li，SUJing，SUNDun—lu，WANGZhao—bing，ZHANGXia，YINShao—tang (AnhuiInstituteofOpticsandFineMechanics，ChineseAcademyofSciences，Hefei230031，China) (Received1February2005) Abstract：The numericalsimulation is an importantway to understand the physicalphenomena and problemsduringthecrystalgrowth，andcanofferdirectionstosetuptechnologicalparametersanddesign temperaturefieldsduringthecrystal rgowth．Inthispaper，researchprorgessinthenumercal simulation forCZ—rgowncrystalsin recentyearsisreviewed．Meanwhile，thesimulationsofinterface shape，flow pattern，velocityandtemperaturefields，transportprocesses，technologicalconditionsnadparameters influencingonthecrystal growthareintroduced． Keywords：Czochralskimethod；numerical simulation；crystalrgowt h；convection；interfaceshape 1 引 言 提拉法(Czochralski，CZ)由于可以控制晶体的大小和直径、在生长过程 中能够方便地观察到晶体的生长 状况以及可生长光学质量优 良的晶体 等优点而成为一种生长高质量晶体的重要方法。近几十年来被广 泛的运用于激光晶体和功能晶体的生长研究之中，例如广泛使用的Y，A1O。：(YAG)、Gd，GaO。：(GGG)、 Ti：A1，O、Yb：YAG、Cr：BeA1，O、Cr：LiSAF、Nd：GGG、Bi．2SiO20(BSO)等晶体通常都用提拉法进行生长。 在提拉法生长晶体过程中，熔体中会产生不同类型的对流 。密度不均匀引起了浮力驱