扩散前的表面处理.pptVIP

硅片扩散前的表面准备 无锡尚德太阳能电力有限公司 (SUNTECH POWER CO., LTD.） 邵爱军 2003年7月 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 概述：金属杂质对电池性能的影响 工艺过程与工艺条件 清洗液浓度的检测与调整（三）氢氟酸（HF）浓度的检测 清洗液的组成和更换 清洗液的组成和更换（续） 目 录 化学清洗用主要设备的操作规程 （清洗机，甩干机） 概述 化学腐蚀液的配制 工艺过程和工艺条件（操作示范） 各化学清洗液的浓度检测，调整 注意事项 概 述 形成起伏不平的绒面，增加硅片对 太阳光的吸收 去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 硅片表面处理的目的： 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 硅片 机械损伤层（10微米） 概述：表面织构化 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 充分洁净硅片表面 清洗硅片表面残留HCl 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅