四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻.pdfVIP

实验 四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻 电阻率是半导体材料的重要参数之一。单晶材料的电阻率与半导体器件的性能有着十分 密切的关系，如晶体管的击穿电压等参数就是直接与硅单晶的电阻率有关。电阻率的测量方 法很多，如三探针法、霍尔效应法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法， 其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。除了用四 探针法测量材料电阻率以外，在器件生产中广泛使用四探针法来测量扩散层薄层电阻以判断 扩散层质量是否符合设计要求。 实验目的及任务是掌握四探针测量半导体材料电阻率和薄层电阻的测量原理及方法；针 对不同几何尺寸的样品，掌握其修正方法；测试给定的三块不同规格样品数据，使用 EXCEL 软件对样品的数据进行计算和处理，如电阻率、方块电阻、标准差、不均匀度，画出电阻率 波动图。最后用热探针判别材料导电类型。 一、实验原理 1. 半导体材料的电阻率 在半无穷大样品上的点电流源， 若样品的电阻率ρ均匀， 引入点电流源的探针其电流 强度为 I，则所产生的电力线具有球面的对称性， 即等位面为一系列以点电流为中心的半 球面，如图 2-1 所示。在以ｒ为半径的半球面上，电流密度ｊ的分布是均匀的： I j 2 （2-1） 2πr 若 E 为ｒ处的电场强度， 则 Iρ E j ρ 2 （2-2） 2πr 图2.1 半无穷大样品点电流源的半球等位面 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系， 则 dψ E − （2-3） dr Iρ d Edr (2-4) =− ψ − 2 dr 2πr 取ｒ为无穷远处的电位为零， 则 ψ( )r r r −Ιρ dr d Edr (2-5) ∫=− ψ ∫∞ ∫∞ 2 0 2π r ρI ( )r (2-6) ∴ψ 2πr 1 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流过的电流和样品