四探针测试半导体的电阻率.pdfVIP

四探针法测量半导体的电阻率 一、 实验目的 1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理； 2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法； 3、能对给定的物质进行实验，并对实验结果进行分析、处理。 二、 实验原理 1. 电阻的测量 电性能是材料的重要物理性能之一，材料导电性的测量就是测量试样的电阻或电阻率。 电阻的测量方法很多，若精度要求不高，常用兆欧表、万用表、欧姆表及伏安法等测量；若 -6 2 精度要求比较高或阻值在10 ～10 Ω的材料电阻 （如金属或合金的阻值）测量时，需采用更 精密的测量方法。常用的几种方法如下： ① 双臂电桥法：根据被测量与已知量在直流桥式线路上进行比较而得出测量结果，其精 -6 -3 确测量电阻范围为10 ～10 Ω，误差为0.2～0.3%。缺点：受环境温度影响较大。 ② 直流电位计测量法：一种比较法测量电动势，通过“串联电路中电压与电阻成正比” -7 计算得出电阻。其可测量10 V微小电动势。优点：导线和引线电阻不影响测试结果。 ③ 直流四探针法：主要用于半导体或超导体等低电阻率的精确测量。 ④ 冲击检流计法：主要用于绝缘体电阻的测量，将待测电阻与电容器串联，用冲击检流 计测量电容器极板上的电量。通过检流计的偏移量来计算待测电阻，可测得绝缘体电阻率高 15 16 达10 ～10 Ω·cm。 2. 电阻率的测量 电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量，某种材料制成的长 1米、横截面积是 1平方毫米的在常温下 （20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。它反映物质对 电流阻碍作用。电阻率是半导体材料的重要电学参数之一，硅单晶的电阻率与半导体器件的 性能有密切联系。因此电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。 测量电阻率的方法很多，如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法则是目前检测半导体 电阻率的一种广泛采用的标准方法。它具有设备简单、操作方便、精度较高、对样品的几何 形状无严格要求等优点。 3. 直流四探针法测试原理 ① 体电阻率测量： 当1、2、3、4根金属探针排成直线时，并以一定的压力压在半导体材料上，在1、4两 处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。材料的电阻率为 （ ·cm） （1） 式中C为探针系数，由探针几何位置决定。 当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无限大条件时 图1 四探针测量原理图 （cm） （2） 式中：S 、S 、S分别为探针1与2，2与3，3与4之间的间距。探头系数由制造厂对探针间距进 1 2 3 行测定后确定，并提供给用户。每个探头都有自己的系数，C≈6.28±0.05，单位为cm。 当S S S 1mm时，C 2π。若电流取I C时，则ρ V可由数字电压表直接读出。 1 2 3 (a)块状和棒状样品体电阻率测量 由于块状和棒状样品外形尺寸也探针间距比较，合乎与半无限大的边界条件，电阻率值 可以直接由 （1）， （2）式求出。 (b)薄片电阻率测量 薄片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度、形状和测 量位的修正系数。电阻率可由下面公式得出： （3） 式中： ——为块形体电阻率测量值 ——为样品厚度与探针间距的修正函数，可由相关表格查得 ——为样品形状和测量位置的修正函数。 W——样品厚度(μm)；S——探针间距(mm) 当圆形硅片的厚度满足W/S0.5时，电阻率为： （4） ②扩散层的方块电阻测量：