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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)
第 23 卷第 10 期 半 导 体 学 报 Vol. 23 ,No. 10
2002 年 10 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Oct. , 2002
Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties
of SemiInsulating InP
1 2 3 3 1
Zhao Youwen , Luo Yilin , SFung , CDBeling and Lin Lanying
( )
1 Materials Science Center , Institute of Semiconductors , The Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083, China
( )
2 Department of Physics , Shantou University , Shantou 515000 , China
( )
3 Department of Physics , The University of Hong Kong , Hong Kong , China
Abstract : Properties of Fedoped semiinsulating ( SI) InP with different iron concentrations are studied by using Hall effect ,cur
rentvoltage ( IV) ( ) ( ) IV characteristics of
,photoluminescence spectroscopy PL and photocurrent spectroscopy PC measurements.
SI InP strongly depend on Fe doping concentration. Fe doping
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