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电脑编程技巧与维护 用于计算机系统的铁电随机存储器的研究进展 肖月宁 （山东工艺美术学院计算机教研室，济南250014） 摘 要：综述了铁电存储器的存储原理、电路结构及应用、尚未解决的主要铁电材料的环保问题、疲劳失效问题、 信息保持力和破坏性读出等问题。 关键词：计算机系统 ； 铁电薄膜 ； 铁电随机存储器 Research Development of Ferroelectrical Random Memories for Computer Systems XIAO Yuening (Dept. of computer , Shandong University of Art ＆ Design ,Jinan 250014) Abstract: The Storage principle of ferroelectrical random memories, the structure and the application of ferroelectrical Ran－ dom Memories were summarized. The problems ferroelectric memories were illustrated as follows: fatigue, environmental problem, the poor retention and the breakage of the readout on the FeRAM, and so on. Key words: computer systems ; ferroelectric films ; ferroelectric random access memory 铁电材料是具有自发极化，且自发极化有两个或多个取 等干扰源的影响，因而铁电存储器具有非挥发性、抗辐射、 [1,2] 向，自发极化的取向可以在外加电场的作用下转向的材料 。 抗干扰和存储速度快的优良特性。 铁电材料剩余极化的两种状态分别对应着存储器的 “0”态和 “1”态，并能通过外电场的方向的改变进而改变存储状态来 A 读取信息，这为信息存储提供了可能。同时，随着计算机信 P 息技术的迅速发展，对信息存储器的存储密度、读写速度、 O B 功耗和存储寿命等提出了更高的要求，而现有的传统非易失 P ABO3 r 性存储器，如EEPROM、Flash 等已经难以满足这些要求。同 传统的非易失性存储器相比，铁电随机存储器 (FeRAM) 具有 一些独一无二的特征。铁电随机存储器能兼容RAM 的一切功 -EO O EO E 能，并且和ROM 技能一样，是一种非易失性的存储器。 同 时，它具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强、可存储大 A -P