320#215;256 GaAsAlGaAs量子阱红外探测器.pdf

V01．37红外与激光工程 第37卷第l期 Nol LaserEn西nee咖g2008年2月 and 【lO】 8002320×256．beF 史衍丽 器测探外红阱子量sAaGlA／sAaG 摘 (昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心，云南昆明650215) 【ll】 要：采用n型GaAs／舢GaAs量子阱材料，反应离子刻蚀娅设备进行光栅、像元分割刻蚀，制 【12】 备了320×256格式的长波量子阱红外探测器，像元中心距30斗m，像元光敏面28pm×28岬，两像元 囊词萋婺?罾器鬈奏嚣攀卧孰i錾蚕≤妻及夼苗魍箅萼硅训蔑爆慑囊鼢暖堂乳蟹；戮鄹勘塞羹粪襄霎=王凑羹 豁g葛耋翻暖囊酗鞘舶萋盈噎魏鞫i滗灞隅氆慵强憾签菱翼要墓一鼍托；翼墓i稻一j型蔫淄雾差j妻亍耋蠢， 酾豫蔷i霉奏茎蛩薹垂霪； 霎黪目§鐾妻蒸gi 量毒宁严融雾舞是≤ 冶找弛亚一i 【13】 能材 【14】 驯暇 料)来提高此类材料的热释电性能。 参考文献： LANGS tomod鲫 n5】 B．Pyroclecnicity：丘咖粕ciemcuriosity imagingtool【J】．孙徊aT咖。2005，卵(8)：3l’36． RoGERW and W．Pymel影晡c锄ys：c踟icstl血丘lms【J】． J勘艘缸盹er锄。2004，13(1—3)：139一147。 z}IoNG 【16】 wei-he．Fe㈣l∞t—c舶蜘蕊【M】．Beij蛾g．Sd∞cc PIlbl Hou∞(钟维烈．铁电体物理学．北京：科学出版 ishing 社)，199B． Kl『IWICl(IB H et M，^M附A，BERATANR a1．Pyr∞lectric ima 【17】 ging【C】，，Pm∞edin挚afⅢEE，hl盯symp嘴Appl Ferm d扰仃，1992，90，CH3080一9：l—lO． YANGW蛐．R雠arch∞the mterialsuscd衙 py加dec仃ic n把岫cooled‰al 【18】 pl粕e蝴ys【D】．Chengdu：UniV铘时 日ec咖icScienceand1kho∞l 0_gy0f