Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究.pdf

真 空 科 学 与 技 术 学 报 第 卷 第 期 +N S （ ） 年 、 月 NN+ O?Y^^_ ’YX[ZY[ ?Z5 H[Y2ZVTV%‘ Y2XZ? +**N )) )+ !# $ 离子敏感%’(’! 系薄膜的 真空热蒸发制备研究 ! 张海芳 杜丕一 翁文剑 韩高荣 赵高凌 （浙江大学材料系硅材料国家重点实验室 杭洲 #)**+, ） !#$% #’ ()# $ *#+,-)+./%/0) !),-1,-),() (/*2 13 456772 8)9#./%/#+ ! ， ， ， -./01 2/34/01 56 7383 901 90:3/0 2/0 %/;;01 /0= -./; %/;301 （ ， ， ， ， ） !#$ %$ ’#( )* !+,+-). /#$0+#,1 23$4 +#.5 6.+7$01+ 8#.593): #)**+, ;3+.# :1.%56% ?@;A.;6B !# $ 3;0B0B3C3D %’(’! C.30 43@B E 1;E0 (8 FC;0 (/@ D/A;/C3;0 ;4 %’(’! C/1C @/C3 ， /B B30C= /C / ;E C@A/C6 G ! C/F F;0F0C/C3;0 30 C. 43@ F/0 ( F;0C;= (8 /==301 =6F= 3;0 A;E= 30 C/1C 4/(3F/C3;0 G H. （ ） # $ （ @;A.;;18 ;4 C. 43@ E BC6=3= E3C. I/8 =344/FC3;0 IJ5 G H. B6CB B.;E C./C C. ! 3;0 B0B3C3D3C8 ;4 C. 43@ F/0 /F. K* L#,K M N L )+K ） ， # $ Q + Q S @OP =F/= /0= C. 43@ BA;0=B 30/8 C; C. ! 3;0 30 3CB F;0F0C/C3;0 /01301 4;@ )* C; R )* @;P T G # $ ， ， ;)3$#. ! 3;0B0B3C3D C.30 43@ O/F66@ C.@/ D/A;/C3;0 T;EC@A/C6 B30C301 摘要 本文通过在低温下烧结靶材，利用电子束蒸发方法制备了%P ’(P ’P ! 比例可控的!# $ 离子敏感%’(’! 系 薄膜。用 和 型酸度计研究薄膜的结构和性能。研究表明薄膜的 # $ 离子敏感性能为（ ） 十倍 IJ5 72’UO