InGaN／GaN岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方法.pdf

第３３卷 第６期 电　 子　 显　 微　 学　 报 Ｖｏｌ３３，Ｎｏ６ ２０１４年１２月 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｓｏｃｉｅｔｙ ２０１４⁃１２ 文章编号：１０００⁃６２８１（２０１４）０６⁃０５７０⁃０６　 　 ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方法 杨晓东 （厦门大学纳米科技中心，福建 厦门３６１００５） 摘　 要：本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术，减小了样品在制样过程中的结构损伤，并 对ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ量子阱进行了结构、成分和发光特性的表征。 通过对三维ＧａＮ 小岛非极性小面微观结构的分析，确 定了侧壁小面皆为半极性面，说明小面生长的ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ量子阱受到较小的极化效应影响。 该岛形量子阱的结构 特征，有效地增强了量子阱的发光效率，同时由于不同小面的存在，实现了同一小岛的多波长白光发射。 关键词：透射电镜；样品制备；微观结构；量子阱；白光发射 ＋ ＋ 中图分类号：Ｏ７６６ １；ＴＮ３０４；ＴＧ１１５２１ ５３　 　 文献标识码：Ａ　 　 ｄｏｉ：１０３９６９／ ｊ．１０００⁃６２８１２０１４０６０１５ 　 　 ＩＩＩ族氮化物半导体材料是目前制作光电器件 的白炽光和荧光技术［２～５］。 但以ＩｎＧａＮ为基础的照 的主流材料，以紫光至蓝光波段的应用最为广泛。 明应用其限制之一是 ＩｎＧａＮ基础上的绿色发光二 ＧａＮ作为直接能隙半导体材料，常用于高亮度绿、 极管内部量子效率的明显下降［６～８］。 随着ＩｎＧａＮ 中 蓝、紫等发光材料，是制作高亮度绿光和蓝光器件最 Ｉｎ含量的提高，合金现象和表面凹坑相关的穿线位 ［１］ 成功的材料之一 。 由于大块的单晶ＧａＮ 生长仍 错／ 堆垛层错的形成将变得剧烈，导致绿色ＩｎＧａＮ／ 无法实现，大部分 ＧａＮ 基电子器件都在异质外延 ＧａＮ多量子阱低劣的晶体质量。 此外，强应变诱导 ＧａＮ层上来完成。 半导体器件功能的获得目前主要 的压电极化场会进一步减少电子穴光波函数的叠 采用不同性质薄膜的接触，即由两层以上的不同半 加，从而显著降低ＩｎＧａＮ绿色发光二极管的内部量 导体薄膜一次沉积在同一基座上形成。 例如，多重 子效率。 因此在半极性或者非极性的ＧａＮ小岛上 量子阱和超晶格，由于其独特的优点如低阈值电流 生长 ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ 量子阱结构，可望有效地避免位 密度，低非辐射复合率，剧烈的发射光谱和对温度的 错、极化场等因素的影响，实现高效率的绿色 敏感性，被广泛地应用于发光器件制造。 目前 发光［９～１３］。 ＡｌＧａＮ／ ＧａＮ和ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ是ＩＩＩ族氮化物半导体中 本文针对ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ岛形量子阱结构的样品， 最主要的异质结构，通过其扩展、组合和改造几乎构 利用机械研磨和聚焦离子束等制样技术，获得相应 成了绝大部分的氮化物光电器件。 由于异质结构 的ＴＥＭ截面样品，并对其微观结构、晶体结构等进 ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ 的尺寸很小，几乎都在纳米量级，为了 行了表征。 结果发现，ＧａＮ三维岛状结构的侧面主 较好的表征其结构，通常只能借助于空间分辨率较 要由非极性类小面所构成，证明了ＩｎＧａＮ／ ＧａＮ量子 高的透射电子显微镜技术。 而透射电子显微镜观 阱将受到很小的极化场作用影响。 清晰的ＩｎＧａＮ／ 察，对这类异质结构半导体样品的要求很高，为了使 ＧａＮ量子阱结构，确定了阱垒层厚度，与其发光特性 得电子能够穿透样品，必须对样品进行特殊工艺的 相吻合。 荧光光谱的测量显示了岛形量子阱发出混 制作。 而氮化物半