MOCVD生长高反射率AlNGaN分布布拉格反射镜.pdf

W电子·嫩W 第19卷第12期2008年12月Journalof V01．19No．12Dec．2008 Optoelectronics·Laser MOCⅧ生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜+ 尚景智1，张保平¨+，吴超敏1，蔡丽娥1，张江勇1’2，余金中1”，王启明1,2 (1．厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，福建厦门，361005；2．中国科学院半导体研究所集成光电子学国 家联合重点实验室，北京100083) 摘要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A]N／GaN分布布拉 格反射镜(DI狼)。利用分光光度计测量，在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示，有圆 弧形缺陷和少量裂纹出现；在缺陷和裂纹以外的区域，DBR具有较为平坦的表面，其粗糙度在10邶×10眦I面 积上为3．3nnl左右。样品的截面扫描电镜(S日巾照片显示，DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的 结果表明。该样品达到了制备CaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。 关键词：金属有机物化学气相沉积(M()CVD)-分布布拉格反射镜(Ⅸ猥)I高反射率；氮化物 中围分类号：TN248．4 文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)12—1592—03 MOCVDof distributed AIN／GaN growthhigb-refleaivity Bm罄reflectors SHANG Chao-mid，CAILi-e1，ZHANG Jing-zhil，ZHANGBao-pinga一，WU Jiang-yonga”， YU Jin-zhonga“，WANGQi一墒ngl。 of andSenficonductorPhotonicsResearch (1．Department Center，Xiamen 361005，C_／ai— Physics University，Xiamen on of ofSci— Ba|2．StateLaboratoryIntegratedOptoeleetronies，InstituteSemiconductors。Chinese Key Academy erlce，Beijing100083，China) distributed on substmtemet2dor-- Ahar缸：AhighrefhetivityA1N／GaN Braggreflector(DBR)isgrown c-planesapphire by ch日Iaieal of observedaround418nm ganic vapordeposition(～IoCVD)．Apeak 99％is by