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MoO3作空穴注入层的绿光有机电致发光器件制备及其性能研究.pdf

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MoO3作空穴注入层的绿光有机电致发光器件制备及其性能研究.pdf

第27 朗 V_舌 朗 Nm 2012 叽 M∞ 眦 晶甜 L与砌 阱 a 示-墓 D A 叭 卷年 第日 液一 q 显州 印 叫 阱 卫 0177—05 文章编号:1007—2780(2012)02 M003作空穴注入层的绿光有机电致发光 器件制备及其性能研究 史高飞h2,牛红林1‘2,鲁文武1’2,胡俊涛1 (1.特种显示技术教育部重点实验室,特种显示技术国家工程实验室,现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地, 合肥工业大学光电技术研究院,安徽合肥230009,Email:mengfei5566@163.corn; 2.合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,安徽合肥230009) 摘要:用真空热蒸镀的方法制备了绿光有机电致发光器件,并对其工艺流程进行了详细的描述。器件结构 为ITo/M003(T nm)/tris nrtl)/N,NLdiphenyl—N,N,_bis(1naphthyl)(1,18biphenyl)一4,4-diamine(NPB)(40 nm)/LiF(1rim)/Al(150 (8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60nm),其中z一0,5nm。实验中,对IT()基 片进行氧等离子体表面处理,能够有效减小IT()表面的接触角。通过对器件的光电性能测试,研究了MoO。 作空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响。实验结果表明,空穴注入层MoO。的最高占据分子轨道 (HOMO)能级较好的与IT()功函数匹配,降低了空穴注入势垒,提高了器件的发光亮度和效率。当外加电压 小于10V时,器件的电流密度随外加电压的增加而增加,但变化不明显;当外加电压大于10V时,器件的电 流密度明显增强,发光色度几乎不随驱动电压的改变而改变,色坐标稳定在(0.36,0.55)附近。 + 关键词:有机电致发光器件;工艺流程;绿光;光电性能 中图分类号:TN383.1 文献标识码:A DOI:10.3788/YJYX0177 FabricationandPerformanceResearchofGreen Organic Devicewith Holeection LightEmitting M003 Inj Layer SHIGao Wen feil’2,NIUHong—linl_2,I。Vwul·2,HUJun—ta01” (1 L“6 Education,NationalLab Key oJSpecialDisplayTechnology,MinistryoJ Engineeringo,SpecialDisplayTechnology NationalLabAdvamed Key oJ DisplayTP(hnology.AcademyofOpto—Electroni(’Technology. He/iUniversityofTechnology,HeJ?i230009,China,E-mail:meng/ei5

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