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Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响.pdf
第31卷第5期 真空科学与技术学报
CHINF_bE TECHNOLOGY
2011年9、10月 JOI『RNAI．OFVAC删MSCIENCE』6心m 521
Sc掺杂对
PDP中MgO薄膜外逸电子
发射性能的影响
况亚伟1’ Kim2 朱 笛1 张雄1
Sang-Hoon‰n2 李 青1
Yong-Seog
(1．东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中心南京210096；
2．韩国弘益大学材料科学与工程学院首尔 121-791)
ofSc onExo-ElectronEmissionof
ImpactDoping
in Panel
FilmsPlasma
MgO Display
Kuang Dil，Zhang
YaweiH，Sang-HoonYoon2，Yong-Seog蚶，Li0K，Zhu x州
E／earon／cSc／ence 210096，China；
(1．蚋Centre，Schoolof and晚删略，Southeast‰毋，Nanjing
Sc拓mceand 121—791，Korea)
2．O喀,oam删ofMaterialsEngi咖，胁，础Uni,嘶，oul
AbstractTheinfluenceofthe onthe emissioncharacteristicsof
exo-electron the
Sc—doping MgO laye璐
protection
in simulated．Thesimulatedresultsshowthatthe the
plasmadisplaypanel(PDP)was Sc—doping deepens
significantly
in band
electronlevelsthe the timeinexo-electronemission．In
Mso lengthens addition，the
trap gap，and decay Sc·dop—
the fdmswasfoundto the andsustainableemissionofthe the
iI唱of MgO improvestability exo-electron，andenablesPDD
cell
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