sol-gel法制备ZAO薄膜的结构与光学性能研究.pdf

sol-gel法制备ZAO薄膜的结构与光学性能研究 曾凡菊 谭永前 李光辉 凯里学院物理系，贵州凯里556000 摘要：采用溶胶—凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:A1)薄膜，利用XRD、SEM、紫外—可见光谱和 光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征，研究了ZAO薄膜的结构和光学性能.结果表明：ZAO薄膜的微 晶晶相与ZnO一致，且具有c轴择优取向；ZAO薄膜在可见光区的透过率超过了88％，在350～575nm范围内有强 的发光带。随着Al掺杂量的增加，ZAO薄膜的禁带宽度变大，光吸收边出现蓝移，发射峰强度先变强后变弱;当 摩尔比r(Al:Zn)为0.010时，ZAO薄膜的可见光透过率最高，达91％；发射峰强度达46.3。 溶胶—凝胶法；ZAO薄膜；紫外—可见光谱；光致发光(PL) A 1001-2028 (2011) 12-0027-03 StructureandopticalpropertiesofZAOthinfilmsprepared bysol-gelmethod ZENGFanjuTANYongqianLIGuanghui 2011-08-29 凯里学院2011年课题资助(No.Z1123) 曾凡菊 （1986-），女，贵州黄平人,助教，硕士,研究方向为功能纳米材料，E-mail:z-f-j-1@163.com。 Vol.30No.12 Dec.2011 @@[1] ELLERK.MagnetronsputteringRFtransparentconductivezincoxide: relationbetweenthesputteringparametersandelectronicproperties[J].J ApplPhys,2000,33(4):17-32. @@[2]HUJH,GORDONRG.Texturedaluminum-dopedzincoxidethinfilms fromatmosphericpressurechemical-vapordeposition[J].JApplPhys, 1992,71(2):880-890. @@[3]XUZQ,DENGH,LIY,etal.Al-dopingeffectsonstructure,electrical andopticalpropertiesofc-axis-orientatedZnO:Althinfilms[J].Mater SciSemicondProcess,2006,9:132-135. @@[4] HIDEAKIA,AKIOS,TATSUHIKOM,etal.Lowresistivity transparentconductingAl-dopedZnOfilmspreparedbypulsedlaser deposition[J].ThinSolidFilms,2003,445:263-267. @@[5]TSUJINOJ,HOMMAN,SUGAWARAT,etal.PreparationorAl-doped ZnOthinfilmsbyRFthermalplasmaevaporation[J].ThinSolidFilms, 2002,407:86-91. @@[6] NUNESP.Performancespresentedbyzincoxidethinfilmsdepositedby spraypyrolysis[J].ThinSolidFilms,1999,337:176-179. @@[7]李微，孙云，何青，等.孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其 特性研究[J].人工晶体学报,2006.35(4):761-764. @@[8]王玉恒，马瑾，计峰，等.退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光 性质的影响[J].稀有金属材料与工程，2005，34(11):1747-1750. @@[9]CHOONGHOONYI,ITARUY,YUZOS.Effectsoftinconcentrations