TiO2VO2双层薄膜的制备及光电性能研究.pdfVIP

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TiO2VO2双层薄膜的制备及光电性能研究.pdf

第35卷第12期 合肥工业大学学报(自然科学版) V01.35No.12 JOURNALOFHEFEIUNIvERSITYOF TECHNOL()GY 2012年12月 Dec.2012 Doi:10.3969/j.issn.1003—5060.2012.12.000 Ti02/v02双层薄膜的制备及光电性能研究 吕晓庆 李合琴, 周 矗, 崔跃, 何蓓, 刘 涛 (合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽合肥230009) 摘要:文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO。单层薄膜与TiO:/VO:双层薄膜,并在Ar气中进 行退火。用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外一可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形 貌、可见光透过率、电阻温度特性进行测试。结果表明,Ti02/VO:双层薄膜的相变温度降低到56℃,电阻 温度系数为一1.087/C,可见光透过率提高了20%430%,且薄膜生长致密均匀。 关键词:Ti()2/voz双层薄膜;相变温度;电阻温度曲线;可见光透过率 1659—03 中图分类号:TB43 文献标识码:A 文章编号:1003—5060(2012)12 ofTi02/V02 thinfilmandits Preparation bilayer photoelectricproperties m Chu,CUIYue,HEBei,LIUTao Xiao—qing,IJ He—qin,ZHOU (SchoolofMaterials Scienceand of 230009.China) Engineering.He{elUniversityTechnology.He{ei Abstract..The thinfilmand thinfilmwere V02 monolayer Ti02/v02bilayer preparedbymagnetron on thenannealedinAr substrates,and sputteringglass atmosphere.Theircrystal transmittancesand characteristicsweremeasured morphologies,visiblelight resistance—temperature byX—ray electron visible andLCRtester. diffraction,scanningmicroscope,UVspectrophotometer Theresultsshowthat with thin transition of V02 film,the compared monolayer phase temperature thinfilmdecreasest

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