Pt掺杂SnO2花状纳米结构的合成及其气敏性能的研究.pdf

刘 程等：Pt掺杂SnOz花状纳米结构的合成及其气敏性能的研究 Pt掺杂Sn02花状纳米结构的合成及其气敏性能的研究‘ 刘 程1，刘 颖1，谢玉涛2，王 辉1，叶金文1，文晓刚1 (1．四川大学材料科学与工程学院，四川成都610065；2．香港科技大学化学系，中国香港) 摘要： 用原位掺杂法制备了Pt／SnOz花状纳米结 以前的研究多采用物理方法，制备条件相对复杂。 构。通过控制反应源物中n(Pt件)／行(Sn4+)比率，可本文采用原位掺杂法，以Pt为掺杂物，采用一步水热 反应，制备出了均匀的SnO：花状复合纳米结构，这种 以获得不同Pt掺杂量的复合纳米结构。采用SEM、 XRD、TEM和Raman光谱对样品的形貌、结构等进行形貌在之前的Pt掺杂实验中还没有发现过。对样品 了分析，并测试了材料的NH。气体敏感性能。结果表 的形貌、组成和结构进行了详细表征，并研究了不同掺 杂比例对氨气的气敏特性的影响，发现当H。PtCl。溶 明，Pt掺杂的SnO：纳米花大小约为2肛m，由平均直径 液的用量为0．5mL时所得的花状结构具有最佳的气 为180nm，长度约为500rim的纳米棒组成；掺杂后 SnO：的拉曼振动峰有了较大的偏移，并出现了新峰 敏特性。 148cm～，这可能与Pt掺杂造成的晶格畸变有关；由 2 实 验 Pt／SnO：纳米材料制得的气敏元件在300℃时对2．00 ×10叫的NH。的灵敏度可达80。 2．I试剂与仪器 关键词：Pt掺杂；SnO。；共沉淀法；纳米花；气敏性能 中图分类号：TB333 文献标识码：A 醇均为分析纯，购于成都科龙试剂有限公司。北京万 德标异商贸有限公司的容积为50mL的高压反应釜； 文章编号：1001—9731(2011)01-0139-05 沈阳市节能电炉厂SK-2—12H管式炉，上海一恒科技 1 引 言 SnO。禁带宽度约为3．6eV，为n型半导体材料， 由于其较低的电阻率及较高的透光性，被广泛应用于 OL／EO D8型 XRD衍射仪；JEOL 气敏元件n’2]、染料敏化太阳能电池L3]、透明电极[4]、催 ishaw—100型拉曼光谱仪。 化剂[5]、锂离子电池L63等领域中。其中以SnO。为材 料制备气体传感器的应用最为广泛。但市场上采用 2．2 实验方法 SnO,制备成的旁热或直热元件，灵敏度普遍较低。通 分别量取56mLH：O和无水乙醇置于烧杯中进 常采用各种物理或化学方法控制SnO。的微观尺寸与 行混合，再将1．29NaOH与0．99SnCI。依次加入混 形貌，可以有效地提高器件的灵敏度。目前，SnO：的 合液中，并搅拌均匀。用移液管移取20mL至容积为 纳米线、纳米空心球等各种形貌均已被制备出来[7。1引， 这为它的气敏元件应用提供了更多的选择。 另一种方法是采用金属离子掺杂以改善SnO。纳 于烘箱中，在180℃下保温15h，进行共沉积。对应产 米材料的气敏性能，这种手段已经被广泛应用。如 物分别定义为孓1、孓2、孓3、孓4和§5。 Alexandra Zima等[13]用In掺杂Sn02制备的纳米晶 极大地提高了元件对CH。的响应，而降低了对H。的 离心5min，取下层沉淀，用水和酒精分别清洗3次，进 灵敏度。S．Rani等[14]用溶胶一凝胶法进行Fe掺杂，发 现当Fe掺杂量为2％时，SnO：纳米膜对Co的响应速750℃退火1h后，测试其气敏性能。 度提高了。张天舒等[I朝在SnO：薄膜表面溅射一层很 3样品表征 薄的金属Pd，发现