MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究.pdf

432 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究* ∗ 高 卓，胡跃辉，朱秀红，马占杰，周怀恩，陈光华 （北京工业大学 新型功能材料教育部重点实验室，北京 100022 ） 摘 要：通过对热丝辅助微波电子回旋共振 的真空密封管中，低温可由液氮获得，高温可由接触 (HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a －Si:H)薄 式调压器加热获得，温度跨越－100~100℃。采用以上 膜进行暗电导与温度关系的测试，可得到暗电导激活 测试方法，可得到σd~T 的关系，根据斜率可求出Ea[1] 。 能(E ) ，并研究了E 与a －Si:H薄膜光敏性( σ / σ) 的 表 1 制备条件 a a ph d 关系；发现随着Ea 的增大，费米能级位置下移，缺 Table 1 Deposition condition 陷态密度减少，薄膜的光敏性变好。 样品 沉积条件 关键词：氢化非晶硅薄膜；暗电导激活能；光敏性 1 2 3 － 背景真空 1.5 ×10 3 Pa 中图分类号：O484.4 文献标识码：A 5.5 sccm /20 气流量 SiH / H 25 sccm 20 sccm 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0432-02 4 2 sccm 沉积压强 2Pa 0.8 Pa 0.4 Pa 1 引 言 衬底温度 120 ℃ 170 ℃ 100 ℃ 微波功率 480W 250 W 226 W a-Si:H薄膜作为一种制备太阳能电池的新型功能 热丝到衬底高度 80mm 热丝温度 1600 ℃ 材料，其光敏性的好坏至关重要。多年来，许多科技 衬底 石英, 高阻单晶硅 人员都致力于a-Si:H薄膜光电特性的研究。同辉光放 微波窗口到衬底 电（GD ）和甚高频（VHF ）CVD等方法相比，本文 的距离 130mm 采用HW-MW-ECRCVD法制备的a-Si:H薄膜，具有光 注：样片 1 为热丝辅助MWECR C