二氧化硅膜的制备及分离CH4CO2气体的研究.pdfVIP

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2015-09-29 发布于湖北
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二氧化硅膜的制备及分离CH4CO2气体的研究.pdf

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二氧化硅膜的制备及分离CH4CO2气体的研究.pdf

第3l卷第l期硅酸盐通报 v01．3lN。．1 兰Q!三生兰旦——一．里墅型：兰Q!兰璺旦坠些卫塑Q!!婪垦g旦!塑垦塑』三里垒些!曼兰Q垡望兰—：一一二氧化硅膜的制备及分离 CH4／C02气体的研究张志刚，张冰，陈立峰，李文秀 (沈阳化1=大学化学工程学院，沈阳110142) 摘要：以正硅酸乙酯为前驱体，通过溶胶一凝胶法，采用多分离层镀膜工艺制备了用于分离CH．／CO：气体二氧化硅化剂、助溶剂及添加剂叮制备出表面性能较好的二氧化硅膜；利用多分离层镀膜工艺制备的二氧化硅膜，在0．025 MPa下，对cH。／c0：气体的分离因子高达1．73，其效果明显高于利用单一溶胶涂膜的分离因子1．6，有效的提高了二氧化硅膜对气体的分离能力。关键词：分离因子；多分离层；二氧化硅膜中图分类号：0484 文献标识码：A onthe SilicaMembranes Study Preparati明of for Separati肌 CH4／C02 ZHANG Wen—x沁 zk-96mg。ZHANGB讯g，CHENh母ng，LI ofCheIIlical锄d ofChemical (College Enginee^ng，Sheny肌gUnive埽iIy 1khnolo科，Sheny锄gllOl42，china) dioxide memb瑚esfor was method Abstract：Silicon inorganic CH4／C02separationpreParedbysol—gel and andcharacterized multipleseparationlayerspmcess，usingtetraethoxysilane(TEOS)asprecursor by asweUasSEM．Theindicatedthatthesilicon ’rG·DSC，nano results membranesshowed particleanaJyzer exceUentsurface and chemical properties，with additive HN03，EtOHDMF嬲catalyst，cosolVent肌d tIIe resultsshowthat factorofideal re印ectively；forprocessmultipleseparationlayers，the separation for e妇fectis tllanthe CH4／C02is鹊high鹪1．7