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2015-09-29 发布于湖北
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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征.pdf

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低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征.pdf

第卷，第期光谱学与光谱分析，， 2 1 6 VoI . 2 1 No . 6 pp745 -74 8 年月 Spectroscopy and SpectraI AnaIysis ， 2 0 0 1 1 2 December 2001 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征 1 1 1 1 2 丁士进，王鹏飞，张卫，王季陶，李伟（复旦大学电子工程系室，上海；台湾半导体制造公司（），新竹，台湾） 1. CVD 200433 2 . TSMC 摘要以C F 和CH 为原料气，通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜，在实验条件 4 8 4 下所得薄膜的介电常数为。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有（）基团外，还 2 .3 CF n = 1 ~ 3 n 含有少量的，等不饱和双键，没有迹象表明 — 和 — 的存在。射线光电子能谱进一步证 C 0 C C C H 0 H X 明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为（）、（），（）、— （），— CF 8% CF 19 % CF 26 .7 % C CF 42 .5 % C C 3 2 n （）和（），表明薄膜中大约的碳原子与氟成键，大约的碳原子不是与氟成键，而是 3 .3% C 0 0 .5 % 54 % 43% 与碳氟基团CF 中的碳原子成键，毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。 n 主题词等离子体增强化学气相淀积；非晶氟碳薄膜；傅里叶变换红外光谱；射线光电子能谱 X