制备材料芯片的K分分形掩膜策略.pdfVIP

冯 兰等：制备材料芯片的 分分形掩膜策略 K 制备材料芯片的 分分形掩膜策略! K ! 冯 兰 顾 明 蔡英文 （上海交通大学材料科学与工程学院 上海 200030） 摘 要 研究了制备由 个水平（元素含量）的任意 种元素所组合的材料芯片的掩膜 K ! 策略，即 分分形的掩膜策略，它不仅弥补了以往掩膜策略的缺陷，而且具有普遍适用性 K 和更高的灵活性。 关键词 组合合成，分形，掩膜，材料芯片 分为两类：一类是最终所得的材料成分是分立的，如 ［］ ［］ 二分掩膜策略1 6 0 引 言 和四分掩膜策略 ；另一类是最终 所得的材料成分是连续的，如三角形平移掩膜策略。 随着科学技术的发展，人们对材料性能的要求 对于第一类策略来说，到目前为止，用其制备的材料 也越来越高。而材料性能主要取决于其成分和结 芯片所包含元素的水平（这里的水平是指材料的含 构，因此人们寄希望于改变一些材料（包括已知的或 量变化）最多为4，因此它不能很好地体现材料性能 未知的）的成分和结构从而获得新型的具有某些特 随成分的变化趋势。而用第二类掩膜策略制成的芯 异性能的材料。传统的材料研究采用了串行的炒菜 片，虽然可以弥补第一类掩膜策略的缺陷，却受到元 式的合成方法，耗时长，成本高，规律性不足。1995 素类别数的制约。因此本文提出了一种 K 分分形 年以来发展了并行集成的材料合成技术，称之为材 的掩膜策略，它理论上可以制备出由最大水平数为 料芯片。材料芯片的提出被 杂志推举为 的任意 种元素所组合而成的材料芯片，其中 Science K ! K 年世界十大科技进展之一。所谓材料芯片实 和 均为任意的自然数，它既具有前文所提的掩膜 1998 ! 质上是一种高密度的材料库阵列，运用并行组合掩 策略的功能又弥补了它们的不足，是一种通用的方 膜策略和薄膜材料合成技术，可以快速地将成千上 法。用这种方法制备的材料芯片还可与正交实验设 万种具有不同化学组分的材料并行集成到一块基片 计相结合来考察成分对材料性能的影响。项晓东等 上，即为合成材料芯片。材料芯片上具有大量的不 采用的四分掩膜策略可以看作它的一种特例，即K 同材料的物理信息和结构信息，通过对其进行高效 = 4 的情况，因此本文将不再赘述。本文首先分别 率的、并行的结构与性能测试，可以达到材料快速合 对 ，，水平的分形旋转式掩膜策略进行阐述， K = 3 5 6