第2章 Flash存储器模块.pdfVIP

清远见——嵌入式培训专家 “黑色经典”系列之《ARM 嵌入式系统开发典型模块》 2 章 Flash 存储器模块 《ARM 嵌入式系统开发典型模块》 清远见——嵌入式培训专家 2.1 Flash 模块功能简介 Flash 存储器是一种可在系统（In-System）进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。 它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程 （烧写）、擦除等特点，在 体积、抗震性方面都有很大的优势，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操 ，因而在各 种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，Flash 在系统中通常用于存放 程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。常用的Flash 为8 位或 16 位的数据宽度，编程电压为单3.3V。主要的生产厂商为ATMEL、AMD 、HYUNDAI 等，他 们生产的同型器件一般具有相同的电气特性和封装形式，可通用。Flash 闪存是非易失存储器， 可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash 器件进行写入操 前必须先执行擦除。 NAND 器件执行擦除操作十分简单，而NOR 则要求在进行擦除前，先将目标块内所有的位 都写为0 。擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操 的时间为 1～5s；擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms 。执行 擦除时，块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NAND 之间的性能差距。统计表明，对于给定 的一套写入操 （尤其是更新小 件时），更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中进行。 因此，当选择存储解决方案时，设计者必须权衡以下的各项因素。 Flash 的一般结构如图2.1 所示。 图2.1 Flash 的结构图 《ARM 嵌入式系统开发典型模块》 《 ARM 嵌入式系统开发典型模块》—第2 章、Flash 存储器模块 2.2 Flash 器件的分类 Flash 按结构可分为NOR 和NAND 两大类。Intel 于1988 年首先开发出NOR Flash 技术， 彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表 了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本、更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口 轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND 闪存。 NOR 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place ），这样应用程序可以直接在Flash 闪存内 运行，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在1～4MB 的小容量时具有 很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND 结构能提供极高 的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND 的困难在于 Flash 的管理和需要特殊的接口。NOR 的NAND 的差别主要有以下方面。 （1）性能差别 Flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前 必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操 是十分简单的，而NOR 则要求在进行擦除前先 要将目标块内所有的位都写为0 。由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行 一个写入/擦除操 的时间为5s，与此相反，擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执 行相同的操作最多只需要4ms 。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NAND 之间的性能差距，统计表明，对 于给定的一套写入操 （尤其是更新小 件时），更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中 进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l NOR 的读速度比NAND 稍快一