GaN薄膜的椭偏光谱研究.pdf

材料与器件 Materials and Devices 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 11. 11. 002 GaN 薄膜的椭偏光谱研究 ， ， ， ， ， 余养菁 张斌恩 李孔翌 姜伟 李书平 康俊勇 ( 厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 ， 361005) 福建省半导体材料及应用重点实验室 福建厦门 : ， 1. 50 ～ 6. 50 eV ， (000 1) 摘要 采用椭圆偏振光谱法 在 光谱内 研究了在蓝宝石衬底 面上 使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN 薄膜的光学性质。 GaN / / / 。 Cauchy Sellmeier 建立 表面层 外延层 缓冲层 衬底四层物理结构模型 与 和 色散公式比较 Tanguy Extended GaN 。 ， 后选择了 色散公式来分析 薄膜的光学性质 椭圆偏振光谱拟合结果表明 Tanguy Extended 、 GaN ( 色散公式能更准确 方便地描述 薄膜在全波段 特别是带隙及带隙之上波 ) 。 GaN 1. 50 ～ 6. 50 eV (o ) 段 的色散关系 提供了 薄膜在 光谱范围内的寻常光 光 和非寻常光 (e ) ， GaN 。 光 折射率和消光系数色散关系 为定量分析 薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据 :GaN ; ; ; ; 关键词 薄膜 椭圆偏振光谱 光学各向异性 色散关系 纤锌矿结构 中图分类号:TN304. 2 ;O433. 4 文献标识码:A 文章编号:1003 － 353X (2011)11 －0821 －05 Study of the GaN Film by Spectroscopic Ellipsometry Yu Yangjing ，Zhang Binen ，Li Kongyi ，Jiang Wei ，Li Shuping ，Kang Junyong (Key Laboratory of Semiconductors an