薄膜材料的制备技术.pdfVIP

4.2 纳米薄膜材料的制备技术 1.纳米薄膜主要的制备方法 真空蒸发：单源、多源蒸发；电子束蒸发、激光蒸 发(PLD) 物 一类是由纳米粒子组成 (或堆砌而成)的薄膜 物 一类是由纳米粒子组成(或堆砌而成)的薄膜 理 磁控 直流磁控溅射[单靶(反应)、多靶反应溅射 理 方 溅射 射频磁控溅射[单靶(反应)、多靶反应共溅射 一类是在纳米粒子间有较多的孔隙或无序原子或另一种材 方 一类是在纳米粒子间有较多的孔隙或无序原子或另一种材 法 料。纳米粒子镶嵌在另一基体材料中的颗粒膜。 法 料。纳米粒子镶嵌在另一基体材料中的颗粒膜。 离子束溅射 （单离子束(反应)溅射；多离子束反应 离子束溅射（单离子束(反应)溅射；多离子束反应 纳米薄膜的制备方法按原理可分为物理方法和化学方法两 共溅射，离子束增强溅射(IBED) 纳米薄膜的制备方法按原理可分为物理方法和化学方法两 共溅射，离子束增强溅射(IBED) 大类，按物质形态主要有气相法和液相法两种。 大类，按物质形态主要有气相法和液相法两种。 分子束外延(MBE) 分子束外延(MBE) 2.纳米薄膜制备（条件）方法对微结构的影响 金属-有机物化学气相沉积 (MOCVD 或 化学 MOMBE) （1）基片种类的影响：考虑晶格常数、表面性质— 气相 热解化学气相沉积(热解CVD) —涉及到基片的选择问题。例如： 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 化 沉积 激光诱导化学气相沉积(LCVD) Ti薄膜： 在玻璃衬底 fcc结构 a=4.068Å 化 学 微波等离子体化学气相沉积(MWCVD) 在NaCl fcc结构 a=4.116Å 学 方 方 （2）温度（基片温度） 法 BST: 830K 晶态 770K 非晶态 法 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 CoMnNiO氧化物： 770K 纳米晶 473-573K 非晶态 液相外延(LPE) 液相化学 Si: 513K 非晶态 823K 晶态 LB有机分子层法 （3）沉积方式的影响 ——基片的选择 ——Si基片 沉积方式 初期结构 晶格常数