(9,0)单臂SiC纳米管电子结构与光学性质第一性原理研究.pdf

铸造技术 V01．31No．7 ·848· FOUNDRYTECHNOLOGY Jul．2010 张威虎1，2，一，张富春3，张志勇4，吕淑媛5，杨延宁3 电信系，陕西西安710061) 摘要：采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法，计算了(9，o)单臂SiC纳米管的电子结构和光学线性响应函数， SiC纳米管是一直接宽禁带半导体材料，禁带宽度达到了1．86 eV，价带顶和导带底主要由C和si原子的P轨道形成，Si—C键 主要以sp2、sp3杂化轨道存在，这是SiC纳米管稳定存在的主要原因。光学性质的计算结果显示，在o～10eV的能量范围内 出现了明显的介电峰，吸收带边对应于紫外波段。因此，(9，O)单臂SiC纳米管或许会成为优异的紫外半导体材料。 关键词：碳化硅；纳米管；第一性原理；电子结构；光学性质 中图分类号：TN305．05；7115文献标识码：A 文章编号：1000—8365(2010)07-0848—05 First ofElectronicStructureand PrinciplesStudy OpticaI SiCNanotube PropertiesOf(9，0)Single-wall ZHANG Wei—hul’2”，ZHANGFu-chuns，ZHANG Zhi-yon94，LVShu-yuan5，YANGYan-nin93 (1．Xi’anInstituteof andPrecision of Optics Mechanics，ChineseAcademySciences，Xi’an ofChinese and of of ElectronicInformation， University AcademySciences，neijing100039，China；3．CollegePhysics Scienceand 716000，China；4．InformationInstitution，Northwest Yan’锄University，Yan’an Technology ofTelecommunications，Xi’anInstituteofPostsand 710061， 710127，China；5．Department China) structureandthe Abstract：Theelectronic functions SiC opticaIresponse nanotubearecalculateda basedthe Functional byusingfirst—principIesuponDensity theintrinsic and betweenelectronicstructuresand are in relationships opticalpropertiesanaly