2.5-10Gbs光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， 22 6 Vol .22 No .6 年 月 ， 2001 6 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June 2001 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 2 . 5—10Gb/ s 光发射机驱动电路HEMT IC 中 器件模型参数 1 2 1 高建军 高葆新 吴德馨 （ 中国科学院微电子中心，北京 ） 1 100029 （清华大学电子工程系，北京 ） 2 100084 摘要：对高速调制器驱动电路HEMT IC 中器件参数进行了研究，着重讨论了HEMT 器件直流参数、交流参数对 外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的器件参数范围；对2 .5—10Gb/ S PHEMT IC 光驱动电路 进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足 — 高速光纤通信系统需要 2 .5 10Gb/ S . 关键词：高速光集成电路；光发射机；驱动电路；HEMT 器件模型参数 EEACC：2560S；1290 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） TN386 A 0253-4177 2001 06-0800-06 1 引言 2 器件模型参数最佳设计 与传统的 相比，高电子迁移率晶体管 图 给出了 中 （ ）的 MESFET 1 SPICE GaAS MESFET HEMT （ ）具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点，而 大信号等效电路模型，由本征部分和源、漏、 HEMT STATZ 且与 、 相比， 的低电压供电工作可以 栅寄生电阻组成 BJT HBT HEMT . 获得低功耗的集成电路，目前已广泛应用于高速光 ［，］ 纤通信系统中的外调制驱动电路中1 2 . 超高速大容量光纤通信系统速率商用水平已经 ［］ 达到 ，而实验室水平达到了 3 ，