GaInP薄膜KMC生长并行计算模拟与可视化研究.pdfVIP

第3l卷第3期 太阳能学报 V01．31．No．3 2010年3月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Mar．．20lO 胡小梅，胡贵华，朱文华，俞 涛 (上海大学CIMS与机器人中心。上海200072) 反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数，运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GalnP薄膜生长过程 进行了并行计算模拟，给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载f衡并降低通信开销，实现了真实沉积条件 下基于大规模粒子的薄膜生长仿真，解决r单机计算能力的不足，缩短了仿真计算时间。模拟结果与试验一致性 池具有现实意义。 关键词：动力学蒙特卡罗方法；金属有机化学气相沉积；GalnP薄膜形貌；并行计算 中图分类号：TP391．9 文献标识码：A 在GaAs衬底上生长GaInP薄膜材料为目标，将反应 0 引 言 室内气体热流场的CFD数值模拟结果作为薄膜生 高效率多结叠层太阳电池(GaAs基系多结太阳 长参数，针对大规模粒子的KMC原子薄膜生长仿 电池)是目前世界上最具竞争力的新一代太阳电池。 真，采用并行计算方法实现GaInP薄膜生长的过程， 在研制GaAs太阳电池的方法中，MOCVD技术能生 缩短了仿真时间。 长出各种复杂的器件结构，使多结霍层电池的研究 1 GaInP薄膜生长的动力学蒙特卡罗 和规模生产成为可能¨叫。以MOCVD技术在GaAs 衬底上生长GalnP薄膜材料体现为原子在薄膜表面 模拟 上的粘接、扩散和再蒸发等一系列的原子过程，其中 在KMC方法研究薄膜生长过程时，认为发生在 扩散决定着薄膜的成核及核的长大。保证均匀的温 表面上的原子过程(沉积、扩散、脱附等)具有随机性 度场、速度场分布是薄膜材料均匀生长的关键技术 之一【4jJ。然而，薄膜的MOCVD牛长过程非常复杂， 等)对MOCVD反应室内气体的热流场进行数值模 目前凭借实验仪器很难跟踪薄膜的生长过程。因 此，计算机模拟已成为研究薄膜生长的原子过程的 重要手段之一。目前的计算机模拟方法有第一原理 空间位置，获得三维的网格数据文件。 法(FP)、分子动力学法(MD)、蒙特卡罗法(MC)、有 定义KMC晶格窄间由N×N×H个小的立方 限元法(FEM)等№]。在这些方法中，将分子动力学 体组成，小立方体每边的长度等于Ga、h和P原子 MonteCar- 同MC相结合的动力学蒙特卡罗(Kinetic lo，KMC)方法具有可模拟较长的时间尺度，同时本 KMC空间的长宽高，它们的值根据模拟对象数目和 身是一个随机过程的优点因此是进行原子薄膜生长 动态模拟的重要研究手段[7’8】。 运算量的大小来决定。将CFD网格数据按公式(1) 目前，模拟实际沉积状态下的大规模粒子的 映射到KMC晶格空间中： KMC生长已超出单个计算机的计算能力，为了解决 m=10—6×／1, (1) 单机计算能力不足的问题，本文以研究MOCVD技术 收稿日期：20