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InP材料直接键合技术.pdf
年 月
2001 9 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS Sep . 2001
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InP 材料直接键合技术
李 宁 韩彦军 郝智彪 孙长征 罗 毅
集成光电子学国家重点实验室 清华大学电子工程系 北京
( 100084)
摘要 研究了 的直接键合技术 给出了详细的 键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 在
, / /
InP InP InP InP
低于 的键合温度下实现了 大面积的均匀直接键合 获得了与单晶 衬底相同的电特性和机械强
650C /
InP InP InP
度 在器件的键合实验中也获得了成功 在 多量子阱激光器结构的外延面上键合 衬底后制作
. / -
IngaASP InP p InP
的激光器激射特性良好.
关键词 直接键合 半导体激光器
, ; InP ;
EEACC , 2520D ; 2530B ; 4230J
中图分类号 + 文献标识码 文章编号
, N 304 2 3 , A , 0253-4177(2001) 09-1217-05
I2I
的应用主要有 高性能垂直腔面发射激光器 高效
,
率发光二极管I3I I4I
引言 雪崩光电二极管 共
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