Rashba多量子阱异质结中自旋轨道耦合效应对电子输运的影响.pdfVIP

第15卷第3期 石家庄学院学报 V01．15．No．3 2013年5月 of 2013 Journal May ShijiazhuangUniversity Rashba多量子阱异质结中自旋轨道耦合效应 对电子输运的影响 王超1，王玉玲2 摘要：根据量子相干输运理论。利用传递矩阵的方法．研究自旋电子在铁磁体(F)／半导体多 量子阱(SWM)／铁磁体的一维结构中，考虑自旋轨道耦合效应时的量子相干输运的特性．通过计算 发现在这种一维多量子阱结构中的自旋电子的输运特性发生了一定的变化．这有利于进一步提高 自旋电子的隧穿系数和自旋极化率． 关键词：铁磁体：自旋极化输运：自旋极化率；隧穿系数：Rashba自旋轨道相互作用 中图分类号：048 文献标识码：A 文章编号：1673—1972(2013)03—0015—06 0引言 随着电子器件的进一步小型化和亚微米甚至纳米技术的发展．一个跨越半导体和磁性材料的全新研究 领域已成雏形。这个全新的领域称之为自旋电子学．自旋电子学的发展非常快，而其研究的主要的目的就 是根据电子具有自旋向上和自旋向下两种不同的状态．开发具有新的特性的电子器件0-41。这是当前凝聚态 物理的热点领域之一．自Dattat5】等人提出自旋电子晶体管的概念后．有很多关于半导体异质结和铁磁金属 中的电子自旋的研究．自旋极化场效应管是基于通过控制外加电场来对晶体管中自旋一轨道(Rashba耦合) 耦合的强度进行控制．从而控制自旋电子的运动[61．通过实验。在多种不同的半导体材料中已经验证了对 Rashba耦合强度可以进行调制． in． 分别提出了抗性自旋选择连接(resistivespin—selectivecontacts)和适当的外延界面(appropriateepitaxial terfaces)．在最近的的一些试验中．已经成功地利用许多不同类型的隧道接触方法，得到了较好的自旋注入 率．例如扫描隧穿显微探针、肖特极势垒【-q和双重共鸣势垒等．而在以Fe／GaAs为基底的光发射二极管结构 【¨冲得到了较高的自旋电子的注入率．加深对在各种异质结结构中的自旋极化输运的性质的理解．有利于 更好的利用自旋极化率较高的电流． 在半导体部分。在实验中利用门电极电压能够来控制载流子的浓度。大部分自旋相关输运理论研究的模 用超晶格进行替换其中间的半导体层，从而形成多量子阱结构，形成F／SMW／F结构．在输运的过程中。自旋 电子在半导体层中运动时，对比单一的半导体层，就会多次隧穿通过势垒。对整个异质结来说电子的遂传性 收稿日期：2012一12—29 作者简介：王超(1981一)，男，四川三台人，讲师，主要从事凝聚态物理研究 万方数据 16 石家庄学院学报 2013年5月 用传递矩阵的方法对中间层部分的多量子阱体系的进行计算． 1理论框架 考虑电子在通过铁磁体，超晶格／铁磁体异质结结构中的自旋相关输运的情况．在这个结构中．认为铁磁 体层是理想的．在铁磁电极处，由于电子的白旋取向不同，电子能级发生分裂，用1个交换劈裂能△表示白 旋向上电子与自旋向上电子的能级差．电子的磁化方向定为z方向，即平行于界面方向．在中间层，是由几 层不同的半导体材料组成的量子阱结构．所以电子在其中的输运过程就是在不同半导体层之间的输运．在 半导体中，设为准一维波导管结构，这就限制了电子的输运方向．一般认为电子的输运方向是沿着髫方向垂 直于材料间界面运动的．因此，在半导体中。电子的运动被非对称量子阱在Y方向上加以限制，由此会产生 4la-Ot