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Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析.pdf

《半导体光电12005年10月第26卷第5期 陈斌等; Ⅲ一V族半导体晶片键合热应力分析 Ⅲ一V族半导体晶片键合热应力分析 陈 斌,王兴妍,黄 辉,黄永清,任晓敏 (北京邮电大学光通信中心。北京100876) 摘要: 利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力 的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果。最后详细讨论了减小晶片 键洽热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考。 关键词:热应力;剥离应力;应变能;晶片键合 ThermalStressinⅢ一7 SemiconductorWafer Group Bonding CHENBin。WANG Hui,HUANG Xiao-min Xing—yan,HUANG Yong—qing,REN (Centerof ofPostsand 100876,CHN) OpticalCommunication,BeUingUniversity Telecommunications,Beijing interracialthermalstresses in wafer areevaluated Abstract:The InP/GaAs arising bonding thestructuremechanics wellas thefiniteelementmethod.Thebothreacha by approach,asby areconfirmedthe relatedfactorsthatcan goodagreement,which by experiments.Finally,the help in iSa wafer tolessenthermalstressesarediscusseddetail.Itvaluablereferencetoenhance bonding quality. words:thermal Key stress;peelingstress;strainenergy;waferbonding 1 引言 了InP/GaAs晶片键合界面热应力分布情形,并结 Ⅲ一V族半导体晶片键合技术是光电子集成的 合有限元方法进行了分析,对两者的结果进行了比 一项重要工艺手段。它是将表面平整洁净的晶片不 较,实验上进行了验证。最后讨论了影响晶片键合 加任何粘合剂而粘合在一起。键合界面的原子以价 热应力大小的相关因素。 键连接在一起。粘合强度与晶片体材料断裂强度相 近。晶片键合技术主要包括表面处理、预键合、退火 2理论分析 三个工艺过程。当不同材料的晶片键合时,由于热 这里我们主要讨论InP与GaAs的键合情形。 膨胀系数的失配,两晶片在进行热处理时将产生热 应力。如果这些热应力过大,将会严重影响键合效 mm。可见

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