氧化亚铜氧化锌复合薄膜的制备及可见光催化研究.pdfVIP

VbI．31 2 辩第12期 0黧燃 No．1 【电沉积技术】 氧化亚铜／氧化锌复合薄膜的制备及可见光催化研究 陈善亮1，应鹏展1一，顾修全1，张伦2 1 116) (1．中国矿业大学材料科学与工程学院，江苏徐州22116；2．中国矿业大学理学院，江苏徐州221 摘要：以导电玻璃(FTO)为基底，采用连续阴极电沉积方法在 多孔结构的ZnO薄膜上合成具有单一(111)择优取向的cu20， 1前言 制备了Cu20／ZnO复合薄膜。采用x射线衍射和扫描电镜分别 eV， 对薄膜的结构及形貌进行了表征。光吸收谱显示复合薄膜在可 Cu20为P型直接带隙半导体，禁带宽度约为2．17 见光范围内具有较好的光吸收性能。可见光催化降解罗丹明B 属窄带隙半导体，可直接利用太阳光中波长为400～ 的实验表明，由于在两半导体接触界面上发生了电荷的转移， 800 nm的可见光，激发出光生电子一空穴对，引发光催 Cu20／ZnO复合薄膜比单一的cu20薄膜具有更高的光催化活 化反应，有望成为继Ti02之后新一代的半导体光催化 性，在2．5h内对罗丹明B的降解率可达到70％，而在相同条 件下Cu，O薄膜的降解率仅为60％。 剂。Cu20控制合成及光催化性能的研究报道在近年来 关键词：氧化亚铜；氧化锌；电沉积；复合薄膜；光催化活性 非常活跃。研究表明，Cu20的光催化性能与其形貌有 中图分类号：0643．36l；TQl53．3文献标志码：A 直接关系。形貌不同，其光催化稳定性也不同，导致 文章编号：1004—227X(2012)12—000l一04 降解率存在较大差劓lJ；Cu20不同晶面的光催化活性 of filmandits PreparationCu20／Zn0composite visible-lightcatalyticstudy／／CHENShan—liang，YING Lun Peng-zhan}．GUXiu．quan．ZHANG 晶面则具有较好的稳定性【5。6J和光催化活性【7]。但与其 Abstract：A filmwas Cu20／ZnOcomposite preparedby 他的半导体光催化剂相类似，Cu20也存在由于光生电 a filmwith orientation synthesizingCu20 singlepreferred 子和空穴复合而导致催化效率受限的问题。目前，通 f1l1)ona ZnOfilm successivecathodic porous through 过制备复合半导体来抑制光生电子和空穴的复合，从 withconductive substrate． electrodeposition glass(FTO)as Thestructureand ofthefilms morphologywerecharacterized而提高光催化剂的催化效率是一种有效的途径，在近