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氮化镓纳米纤维的静电纺制备及光催化性能研究.pdf
第31卷第4期 硅 酸 盐 通 报 v。I．31N。．4
垫!兰生墨旦 旦旦垦墨墨旦奠Q兰!旦垦垦旦!盟曼璺垦璺垦娶垒堕!垦璺Q垦!垦!! 垒坚￡坠壁：垫!兰
氮化镓纳米纤维的静电纺制备及光催化性能研究
温鹏程，王宏志，李耀刚，张青红
(东华大学材料科学与工程学院，纤维材料改性国家重点实验室，上海201620)
am左
摘要：以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和Ga(NO，)，为前驱体，利用静电纺丝和热处理技术制备了直径在100～300
右的单斜结构的Ga20，纳米纤维，并通过氨气氮化技术制备了GaN纳米纤维。XRD结果表明GaN样品为六方纤
锌矿结构，且最佳氮化温度为850℃，氮化时间为2h。Raman光谱发生了红移，并再次确定了GaN样品的结构，
100～200
nm之间，光催化测试表明GaN纤维对罗丹明6G有很好的降解效果。
关键词：静电纺丝；GaN；纳米纤维；氮化；光催化
中图分类号：TN304 文献标识码：A
and ofGaN
ElectrospinningPreparationPhotocatalysisProperties
WEN
Peng—cheng，WANGHong-zhi，LI
Yao—gang，ZHANGQi,,g一幻昭
ofMaterialsScienceand 201620，China)
(College Engineering，DonshuaUniversity，Shanghai
nanofiberswere a mixtureof and
PVP，
Abstract：Ga203 preparedbyelectrospinningprecursor Ga(N03)3
then ofthe nm
followedthermaltreatment fiberswithdiameterofabout100．300
by composite，B-Ga203
wereobtained．GaNnanofiberswere nitridationof inanammonia
synthesizedthrough Ga，O，nanofibers
at showedthatallstructuresofthe were
atmospherehightemperatures．XRDpatterns productshexagonal
Wurtzite．andthebestnitridationconditionwas the at850℃for2h．Raman
maintainingtemperature
showeda shiftedtowardinfrared of
andreconfirmedthestructure
spectroscopy fre
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