沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响.pdfVIP

第40卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v。1．40N。．4 垫!!生墨旦 』Q坠垦型垒生Q!墨!盟!坚垦旦曼垦垦!塑垒坚 垒坚翌!!!!兰Q!! 赵庆勋，张婷，马继奎，魏大勇，王宽冒，刘保亭 (河北大学物理科学与技术学院，河北省光电信息材料重点实验窀，保定071002) 构架了SRO／BFO／SRO异质结电容器。采用x射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。x 射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2．5kHz测试频率下，500oC生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线，2Pr 为145 WC／,：m2，矫顽场E为1．58 SRO电容器满足欧姆导电机制，在高电场区．满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现：SRO／BFO／SRO电容器经过109翻转 后仍具有良好的抗疲劳特性。 关键词：磁控溅射；沉积温度；SrRu03；BiFe01薄膜 中图分类号：0484 文献标识码：A Effectof ontheStructuraland Deposition Temperature Physical of Films Properties PreparedbyMagnetronSputtering BiFe03 ZHAO Kuan-m∞，LIUBao·ting Qing-xun，ZHANG死，lg，MA五一梳，WE!Da一妒，lg，WANG d (c‘峥dn嘞sc№andTcdmal呵，嘶KeyLsbo,,my0呻．eb由硼赴ldonmtionM矗鼬。H由dUl由呐．踟她071002．Q五·诅) 15March 201I) (Rtce／mt 2011，饿H尹‘耐3May heterostmctmewere capacitors Abstract：SrRu03(SRO)／BiFe03(BrO)／SRO whichBFOthin films岫depositedby sputtering． (001)舢k黼咄SRO鹅btl伍LMlayef，in RF唧etron Theeffect0f onthestructuraland dBFOthin depositiontemp髓tum pIlysicaIproperties film惴iIlw蛐删by aferroelectric thattheBFOthinfilmsw眦 X-mydiIkIclj舢(XRD)andt倒灯．X-mydi蜥∞(XRD)revealed the 2．5 BFOferroelectricfilm at a kHz，the test白既l岫珂of