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污秽悬式绝缘子的交流污闪计算模型.pdf
高电压技术第36卷第5期2010年5月31日
31，B010 1077
HighVoltageEngineering，V01．36。No．5，May
污秽悬式绝缘子的交流污闪计算模型
舒立春，范学海，蒋兴良，杨占刚
(重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室，重庆400030)
摘 要：为了更好地研究不同附盐密度绝缘子的污闪过程及预测其污闪电压，选取了普通型LXy-160．钟罩型
FC一16P和空气动力型Fc一160D为研究对象。求取其按爬电距离展开的平板模型，即绝缘子的泄漏距离对应于平板
模型的长，沿绝缘子泄漏距离各点处的圆周长对应平板模型的宽。忽略局部电弧的一些随机性状态。统一认为：导
致污闪的局部电弧都是从平板模型两端同时起弧并逐渐相向发展，发展到临界长度时两端同时存在电弧。以此为
基础，引入飘弧系数K，推导了剩余污层电阻表达式和双电弧污闪计算模型的临界条件，并编程求解了3个平板模
型上、下表面临界电弧长度和临界闪络电压。还制作了3种绝缘子的平板模型进行人工污秽试验，获其50％污闪
电压。比较计算结果和试验结果，可见双电弧污闪计算模型能较好地对污闪电压值作出定量估算。轻污时飘弧现
象不严重，试验电压点一般介于K=1和K一1．2两条曲线之间；重污时飘弧现象比较严重，试验点主要集中在K
—1．2和K=1．5两条曲线之间。
关键词：污闪模型；平板模型；剩余污层电阻；临界弧长；临界污闪电压；飘弧
中图分类号：TM855：TM216文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2010)05—1077—06
ACFlashoverCalculationModelofPolluted Insulator
Suspension
SHULi—ehun，FAN
Xue—hai，JIANG
Xing—liang，YANGZhan—gang
(State ofPowerTransmission andNew
KeyLaboratory Equipment＆SystemSecurity Technology．
400030，China)
ChongqingUniversity，Chongqing
Abstract：InordertoresearchflashoverofinsulatorwithdifferentSDDandto itsflashover
process predict voltage。
FC一160D and flat which
three and wereresearched tO
typesinsulators。LXY-160、FC_16P expandedplatemodels，in
is tOinsulator’S distanceandwidth tO some
length
corresponding leakage correspondingcir
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