溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， 25 l VOI .25 NO . l 年 月 ， 2004 l CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan . 2004 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 溶胶 凝胶法制备 薄膜及表征 - ZnO 季振国 宋永梁 杨成兴 刘 坤 王 超 叶志镇 （浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 3l0027 ） 摘要：采用溶胶 凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 薄膜 对薄膜的 分析表明 薄膜 - ZnO . XRD ZnO 为纤锌矿结构并沿 轴取向生长 透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 ，与 体材料的禁带宽度 基本 ! . 3 .28eV ZnO 3 .30eV 相同. 用光致发光谱分析了经过500 ~ 700C 热处理获得的ZnO 薄膜，结果表明ZnO 薄膜在室温下有较强的紫外带 边发射，但当热处理温度高于700C 时，可见光波段发射明显增加. 关键词： 薄膜；光致发光；溶胶 凝胶法；旋涂 ZnO - PACC：6855 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） O434 A 0253-4l77 2004 0l-0052-04 文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂 1 引言 覆技术生长了结晶质量高、取向性好的ZnO 薄膜， 并着重研究了热处理温度对 ZnO 薄膜光致发光特 ZnO 是直接带隙宽禁带半导体材料，晶格常数 性的影响. ， ，室温下的禁带宽度约为 = 0 .325nm ! = 0 .52nm 3 .30eV，其结构为六角形纤锌矿结构，适合于高质量 2 实验 ［，］ 定向外延薄膜的生长 l 2 . ZnO 具有较大的激子束缚 能（ ），理论上有可能实现室温下的紫外受激 60meV 2 . 1 溶液的合成 ［］ 3 辐射 另外，氧化锌还具有材料来源非常丰富、价 . 格低廉、无毒、易实现掺杂等优点. 此外，掺铝的ZnO 实验主要是利用锌的可溶性无机盐或有机盐如