燃烧法合成Al掺杂β-SiC粉体的工艺参数对其介电性能的影响.pdfVIP

菱堕叠簦!燮垡鲨金壁垒!堡垄堡墨堕塑签塑三茎叁塑堕基坌皇丝壁堕墅堕 !!! 苏晓磊1，周万城2，徐 洁1，李智敏3，王俊勃1，贺辛亥1，付种1，张李峰4 摘 要： 采用燃烧合成法，以硅粉和炭黑为原料，铝 粉为掺杂剂，聚四氟乙烯为助燃剂，分别在不同坯体压 范围内对其介电性能进行测试，并对其介电损耗机理 力下制备成坯体，在0．1MPa的氮气气氛中合成Al掺和合成机理进行讨论。 杂13-SiC粉体。通过X射线衍射、扫描电镜和电子能 2 实 验 谱对合成粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征。 2．1粉体的制备 同时在8．2～12．4GHz频率范围内进行了介电性能测 试。结果表明随着坯体压力的增大，合成8一SiC粉体 的晶格参数随之减小，且其介电性能随之降低。对合 均粒径为40nm、纯度99％的炭黑为原料。以平均粒 成机理和Al掺杂对SiC介电性能的影响进行了讨论。径为75／-m、纯度99％的铝粉为掺杂源和平均粒径为 关键词： 燃烧合成法；碳化硅；介电性能 中图分类号：