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电力电子器件电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。又称功率电子器件。各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端(阴极和阳极)器件，其器件电流由伏安特性决定，除了改变加在二端间的电压外，无法控制其阳极电流，故称不可控器件。普通晶闸管是三端器件，其门极信号能控制元件的导通，但不能控制其关断，称半控型器件。可关断晶闸管、功率晶体管等器件，其门极信号既能控制器件的导通，又能控制其关断，称全控型器件。逆变是核心，关键是器件，逆变器件必须满足以下条件，能承受足够大的电压和电流 线电压380V,整流后513V,器件的耐压需1000V以上 功率150KW电机额定电流250A,考虑到过载，器件的电流700A允许频繁接通和关断接通和关断需十分方便一代器件决定一代电力电子技术，为此，整整100年◆ 晶闸管SCR(Silicon Controlled Rectifier,Thyristor )1 晶闸管的结构晶闸管是四层(PNPN)三端(A、K、G)器件。晶闸管的外形有螺栓式和平板式 螺栓式容量 10-200A 平板式容量 200A以上 图 晶闸管的内部结构及等效电路 晶闸管的导通和阻断控制晶闸管的导通控制 阳阴间加正向电压,同时门极和阴极间也加正向电压形成触发电流门极触发电流一般只有几十毫安-几百毫安,阳阴间可通过几百-几千安晶闸管的阻断控制将阳极电流降低到维持电流以下图 晶闸管的工作原理 晶闸管的阳极伏安特性 晶闸管阳极与阴极间的电压和电流之间的关系,称为阳极伏安特性。 晶闸管的正向与反向伏安特性与二极管相似 图 晶闸管的阳极伏安特性 晶闸管的主要参数UDRM 断态重复峰值电压 门极开路时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。URRM 反向重复峰值电压 门极开路时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。UTN 晶闸管的额定电压 UDRM和 URRM中两者较小者。 规定的标准电压等级：在1000V以下，每隔100V为一级；1000V-3000V， 每隔200V为一级。U T(VA) 通态平均电压 即管压降，晶闸管阳阴之间电压降的平均值，一般为 0.4-1.2V。 I T(VA) 通态平均电流 工频正弦半波（不小于170o）的通态电流在一个周期 内的平均值IH 维持电流 晶闸管在导通状态，维持管子导通的最小阳极电流。 一般为十几-几百毫安IL 擎住电流 晶闸管在断态转入通态去掉触发信号，能使器件保持 导通所需最小阳极电流。 晶闸管的保护晶闸管的过电流保护快速熔断器保护过电流继电器保护 可安装在交流侧或直流侧限流与脉冲移相保护图 快速熔断器的接法 图 交流侧接阻容吸收电路的几种方法 晶闸管的过电压保护 过电压的原因 关断电压、操作电压、和浪涌电压 保护方法 阻容吸收、硒堆、或压敏电阻 ◆ 门极可关断晶闸管GTO(Gate Turn-off Thyristor)1 门极可关断晶闸管GTO 结构和工作原理门极可关断晶闸管也是四层(PNPN)三端(A、K、G)器件，外形与普通晶闸管一样，但制作工艺与晶闸管不同。工作原理：开通过程与普通晶闸管相似，但门极加负电压可使其关断。2 门极可关断晶闸管GTO的主要参数多数参数与普通晶闸管相同 图 门极可关断晶闸管GTO 结构和图形符号 图 门极可关断晶闸管GTO开关特性示意图 ◆ 电力晶体管GTR(Grant Transistor)或 BJT （ Bipolar Transistor)） 电力晶体管GTR通常又称为双极性晶体管BJT，是一种大功率高反压晶体管，目前常用的有GTR有单管、达林顿管和GTR模块3大系列。GTR的使用把变频调速推向了实用阶段。1 GTR的工作原理其工作原理与普通中小晶体管相似，也有PNP和NPN两种，但主要工作在开关状态，不用于信号放大，他所承受的电压和电流数值大。为了简化GTR的驱动电路，减少控制电路的功率，常常将达林顿结构复合管、续流二极管、加速二极管等集成在同一芯片上，做成电力晶体管模块。在变频器内，开关器件主要用于逆变桥，故常把两个GTR集成在一起，做成两管模块；也有把六个GTR集成在一起，做六管模块；2 GTR的主要参数 UCE0 反向击穿电压 基极开路CE间能承受的电压ICM 最大工作电流 允许流过集电极的最大电流值PCM 集电极最大耗散功率hFE 电流放大倍 ton 开通时间 包括延迟时间td和上升时间trtoff