LDMOSFET电热耦合解析模型.pdf

第30卷 第3期 固体电子学研究与进展 V01．30。No．3 OFSSE Sep．，2010 2010年9月 RESEARCH＆PROGRESS LDMOSFET电热耦合解析模型 孙晓红1’5’ 戴文华2 严唯敏3 陈 强4 高 怀1’5 (1东南大学国家ASIC系统工程中心，南京，210096) America 95037．UnitedStates) (Zlnfineon North Hill，CA Technologies Corp，Morgan (3苏州大学应用技术学院机电工程系，江苏，苏州，215325) ofElectronic Instituteof 16440，Sweden) (‘Department System，theRoyal Technology—KTH，Stockholm (s苏州工业园区教育投资发展有限公司苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心，江苏，苏州，215123) 2009—04—23收穑，2010—01—08收改稿 electro—thermal 摘要：建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型一Agere 子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型，并将其应用于实际射频功率放大器的设计，通过测量验证了该模型 的正确。 关键词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管；解析模型；晶体管模型；封装模型；热模型 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：i000—3819(2010)03一0370·07 Electro-thermalModelforRF—LDMOSFET Analytical SUN DAlWenhua2YANWeimin3CHEN GaoHuail’5 Xiaohon91’5 Qian94 (1Southeast ASIC University，NationalSystemEngineeringCenter,Nanjing，210096，CHN) NorthAmerica 95037，UnitedStates) (2Infineon Hill，CA Technologies Corp，Morgan o，Mechanical＆Electrical TechnicalofSoochow (3Department Engineering，AppliedCollege University，Suzhou， Jiangsu·215325·CHN) Institute Stockholm，Sweden) (‘Department∥ElectronicSystem，theRoyal ofTechnology-KTH，16440 Education RFPower OSuzhouSIP Co．，Ltd．SuzhouDevice＆Circuit Develo