MFIS结构的C-V特性.pdf

卷第12摩 半 导 体学 报 ～70121、o l 1 第黔 CHINESE 斗11月 JoURNAIOFSEMlCONDUCl()RS Dcc2㈦J1 MFIS结构的C—y特性 颜 雷 汤庭鳌 黄维专= 姜国孟 钟 琪 汤祥云 !()f4j3 复旦大芋电子工程系傲电子研究新复旦、学^sTr礼系统国家草点宴验窜．!海 M吣 捕要：研究了运用sOL—GEL方祛制备的Au，PzI(铅锆钛)，zrOvsl结构电容即MFIs al，FerrUelcctrc，Insulator，scmlconductnr)电容的方法．井对其进行丁sFM、(、l+特性铡试及 zr()：介质层竹电常数分析研究了(一’’存储窗几(Memorvwln乩w)电压与铁电薄膜和介质层 厚度比的关系．得出MF1s电容结佝中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为71(】厅右，在外加电 压jV+j1，7时存储窗口可达2j2V左右 关键词：不挥发非破坏性读出铁电存储器；存储窗口；铁电薄膜；电滞同线 EEACC 下＼432；TN381 7(20uo)l2 1扪3o 中圈分类号 文献标识码A 文章编号：02j．；1li C—yCharacteristicofMFISStructure+ Wel ba。 YA卜Lel，TANGao，HUANG Guo T1ng nlng．JIANG ZHONGandTA＼G Q1 yun X1ang L1n“t协“o}、1l￡≯。Ptf“ronlLl，Ikp㈣…iEIP(fron}cEnE…rtngnHdAsle＆， 2Ⅲ，4j3，r^…1 SⅣrrmSf口Kr～k6。忡，v．，“幽¨rn?FⅢr～．≮^d”g^uj Rccclvcd1 l Scptcmbcr999．revlced…LIscrlpr2‘Janll…2()I】p ferroelecI hasbePn 8 o{att曲nonduc Abstract：Ther㈣1Pmo。y paIdgfPat山al t()1t㈨lqucperf㈣an(L， Inl am。ngwhlchⅢndestⅢtl叭eddoutMFlS(MHal7Ferroelectrlc，InsulaI。r／S…fondl】Ptor)阶Prv