CuInSe2%2fTiO2复合薄膜的光电性质及研究.pdf

Study on the Photoelectric Properties of CuInSe /TiO Composite Film 2 2 A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science By Xu Suyun Supervisor: Associate Prof. Pang Shan, Prof. Li Yuncai May, 2013 摘 要 摘 要 CIS(CuInSe )是一种典型的多元化合物，CIS 薄膜太阳能电池以其吸收系数高，成 2 本低，柔性好，转换效率高等优点而备受广泛的关注。目前共蒸发法制备的CIS(CuInSe ) 2 薄膜太阳能电池效率达到17.1%，但是对其元素配比要求较高，这对制备过程要求较为 苛刻。有研究小组通过化学喷涂法制备了CuIn(S /Se ) 与TiO 的复合薄膜，优点主要有 2 2 2 以下两点：(1) CIS 是一种p 型半导体，TiO2 是一种n 型半导体，这种pn 结的引入可以 促进光生电子-空穴对的分离。(2) CIS 与TiO2 复合后降低了对CIS 元素配比的要求，从 而简化制备工艺，节约成本。但是由于 TiO2 颗粒层的阻挡，CIS 与TiO2 纳米颗粒层不 能很好的接触，增加光生电子-空穴对的复合，阻碍了复合薄膜的光电性质的提高。所 以需要改进制备方法和优化表面界面态，电化学沉积方法能够降低CIS 制备工艺并将p 型CIS 充分的填充于n 型TiO2 纳米棒阵列间隙，形成接触紧密的核壳结构。这里我们 通过水热法在FTO 基底上制备了 TiO2 纳米棒阵列薄膜，采用一步电化学沉积方法在n 型TiO2 纳米棒阵列间隙填充p 型CIS 纳米颗粒。研究CIS 化学计量比、纳米颗粒层厚 度和 TiO2 纳米棒阵列密度对复合薄膜光电性能的影响，这将对于TiO2 纳米棒阵列 3D 异质结太阳能电池意义深远. 基于以上考虑，本文主要开展了以下三方面的研究工作： (1) 采用水热法在FTO 导电基底上，180 度8h 生长垂直于基底的TiO2 纳米棒阵列， 并用一步电化学沉积方法，将P 型CIS 层沉积在TiO2 纳米棒阵列基底上形成核壳结构 的 CIS/TiO2 纳米棒阵列 pn 结复合薄膜，利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、稳态表面光电压 （SPV）对CIS/TiO2 复合薄膜及TiO2 纳米棒阵列的晶体结构、 形貌及光电性质进行了表征和分析。实验结果表明：退火处理后，CIS/TiO2 纳米棒阵列 复合薄膜的结晶性良好；扫描电子显微镜数据显示p 型CIS 层和n 型TiO2 纳米棒阵列 形成了很好的核壳复合结构；稳态表面光电压数据说明，CIS/TiO2 纳米棒阵列复合薄膜 较于 CIS/TiO2 纳米颗粒层及 CIS/FTO 薄膜光电性质大幅增强。场调制表面光电压证实 了CIS 与TiO2 之间形成了pn 结，从而促进光生电子由CIS 向TiO2 的注入。 CuInSe2 /TiO2 复合薄膜的光电性质研究 (2) 在电化学沉积过