PZT铁电薄膜的制备与性能及研究.pdf

PZT铁电薄膜的制备与性能研究 凝聚态物理专业 研究生：蒲朝辉 指导教师：朱建国 本论文主要采用磁控溅射(Magnetron 20,Ti080)03单层膜以及 膜，包括制备Pb(Zr0．80,Tio20)03和Pb(Zr0 Sol--Gel 。20)03 o80)03多层膜；利用改进 Pb(Zr0iT，0／Pb(Zr0．20,Ti8．备制究研术技 了PZ3’铁电厚膜。研究了不同衬底、不同Ar：02气氛以及不同衬底温度对 制备PZT薄膜的结构和性能的影响；研究了PZT多层铁电薄膜的制各工艺； 多层膜以及厚膜的结构、成分、形貌、进行了深入的分析研究；利用TH-- 2816型数字电桥和压电工作站测试了PZT铁电薄膜、厚膜的电学性能。本 论文获得的主要结论如下： ％，PZT在晶格失配率较小的Pt上形核生氏远比在晶格失配率大的si和 SiO，／Si上容易。利用SEM对不同衬底I：沉积的PZT薄膜表面进行了分析， PZT薄膜经退火处理后，薄膜表面平整，无裂纹、孔洞，微观结构致密，颗 粒大小均匀一致。 2、在维持较低的衬底温度T。=300。C的条件下，在纯Ar中原位沉积的 PZT薄膜经后期退火处理后呵以得到较高纯度的钙钛矿结构。而当溅射气体 中含有02时，溅射制备的PZT薄膜很难经退火处理转变为钙钛矿结构。溅 射气体中含氧气比例越多，溅射制备的PZT薄膜的钙钛矿相含景越低。 验发现在600。C时沉积的PZT薄膜可以得到完全的钙钛矿结构。利用AFM 6nm和49．3nm， 别为2．6nm、5．2rim和9．0nm，平均粒径分别为22．8rim、24 这表明PZT薄膜随着衬底温度的升高晶粒逐渐长大，表面粗糙度升高。 在Pt／Ti／Si02／Si上成功制备出了厚度约为5睥l的PZT铁电厚膜。 5、利用XPS分析了溅射制备的Pb(Zro80，Tio20)03薄膜的化学成分，PZT 量比。 6、利用SEM对多层膜进行了断面分析，经180分钟沉积的PZT多层 A／s 膜厚度达到了0．526pm，平均沉积速率约为0．5 7、测试了PZT铁电单层膜、多层膜以及厚膜的电学性能，发现PZT铁 电单层膜、多层膜的介电常数和介质损耗都是随频率的增加而降低的，其中， 多层膜在dR／dT为l／3时lkHz下的介质损耗为O．021，介电常数为347。 8、利用压电工作站测试了PZT铁电单层膜、多层膜以及PZT厚膜的电 矫顽场 滞回线，PZT(80／20)单层薄膜的剩余极化强度P，=9．45pC／cm2， E。=54．9 kV／cm； kV／cm。PZT厚膜的 多层膜在dR／dT为1／3时，Pr=33．89C／cm2，E。=92．8 kV／cm。 Pr=28．39C／cm2，E。=63．6 9、利用Keithley 关键词：PZT、铁电薄膜、多层膜、铁电厚膜、溅射、溶胶一凝胶 II PREPARATIONAND OFPZT FERRoELCTRICTHINFILMS Specialty：CondensedPhysi鹳 Candidate：ZhaohuiPa Zhu Advisor：Jia