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2015-10-06 发布于重庆
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InSb211AB表面电子结构特性.pdf

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InSb211AB表面电子结构特性

第卷第期年月物理学报 #’ %%% ，，， S19 *#’ R1 * T7.2=42U %%% （） !%%%@)’%O %%%O #’ % O %)!(@%N AEH A KPQ-+EA -+R+EA %%% E/, * K ; * -10 * % U （），表面电子结构特性! !#$ % ! !）） !） !） !） !）贾瑜陈国剑马丙现胡行顾华伟李新建 !）（郑州大学物理工程学院，郑州 #$%%$ ））（河南大学物理系，河南大学科研处，开封 #$%% !）（年月日收到；年月日收到修改稿） !’’’ ( !’’’ # ) 采用散射理论的格林函数方法计算了（），两类表面的电子结构，分别给出了两类表面的表面投影 +,-. !! ! 能带结构，分析了各表面态的轨道特性和色散特性；并在此基础上讨论了两类表面的稳定性；计算结果和实验结果定性的相符合* ： ’()) )% 溅射和退火后得到的表面并非真正的（）表面，而 !! ［，］是小面化了的（）台阶面 !$ !’ 理论上利 ! 引言 !!% * E4:/ ［］用总能计算也给出了相同的结论 ! 最近， * F9;;1, 相对于半导体化合物的低指数表面（如闪锌矿在对（）表面的研究结果发现（） +,-. !! +,-. !! 结构的（），（）和（）表面），在半导体化合物表面却是一个稳定的表面，低能电子衍射图样清楚 !%% !!% !!! 较高指数面上外延生长半导体材料具有潜在的应用地表明（