原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布.pdfVIP

　第 19 卷第 7 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 7　 V o l N o 　1998 年 7 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July 原位确定 GaA s M ESFET 沟道的 掺杂浓度分布和迁移率分布 　　张友渝　　　　　　　　　　　程兆年　　张俊岳　 ( ) ( ) 河北半导体研究所　石家庄　050051 　　　　 中国科学院上海冶金研究所　上海　200050 摘要　本文提出一种原位测定 GaA s M ESFET 沟道中掺杂浓度分布和迁移