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光子晶体提高GaN基LED出光效率的研究进展
!2010 6 31 3 李天保 等: 光子晶体提高GaN 基 LED 出光效率的研究进展
GaN LED
李天保, 梁 建, 许并社
( , 030024)
: 光子晶体作为有效提高LED 出光效率的手段之一, 在过去的十多年受到了广泛的
关注简 了光子晶体提高LED 出光效率的物理原理从GaN 基LED 不同光子晶体的结构晶
格常数和高度等参数的影响出发, 通过几种新型光子晶体发光二级管的介绍, 总结了近年来利用光
子晶体提高LED 出光效率所取得的研究进展
: ; GaN;
: TN312. 8 : A : 1001- 5868(2010) 03- 0339- 05
Study on Enhancement of the Extraction Efficiency of GaNbased LEDs with hotonic Crystals
LI Tianbao, LIANG Jian, XU ingshe
( College of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, CHN)
Abstract: Photonic crystals (PCs) have attracted much attention during the last decade as a
solution to overcome the low extraction efficiency of asgrown lightemitting diodes (LEDs) . In
this review, the underlying physics mechanism for enhancing the extraction efficiency of GaN
based LEDs by using the PCs structure is described. ased on analyzing the parameters of
different structures, lattice constants and highness of various PCs, several novel PC LEDs are
introduced and progresses obtained in these decades are presented.
Key words: photonic crystals; GaN; lightemitting diodes
0 ( substrate light) ; ,
66%GaN ,
(LED) (guided light) , LED
,
, GaN LED 90%, , LED
LED
5% LED ,
[ 2]
,
GaN LED , [ 3] [4]
() ,
, , ,
[ 1]
( 1) : 6% 65% , (silicone)
( , 80% ,
, 1) ; 22%
, LED
,
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