掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究.pdfVIP

维普资讯 2004年 2月 河 北 工 业 大 学 学 报 February 2004 第33卷 第 1期 JOURNAL OFHEBEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY v01．33 No．1 文章编号：1007．2373(2004)0l0·0010·5 掺锗 CZ硅单晶中锗分布形式的研究 牛新环，张维连，吕海涛，蒋中伟 (河北工业大学 半导体材料研究所，天津 300130) 摘要：利用扫描电镜能谱分析法，对 cz法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行 了测 定，结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低，尾部锗浓度较高．根据测定的浓度计算出了 该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为 O．60～O．65． 关 键 词：直拉法；硅锗单晶；杂质分布；分凝系数；晶体生长 中图分类号：TN304．2 文献标识码 ：A 0 前言 SiGe是一种新型半导体材料，具有许多独特的物理特性，如：载流子迁移率高、能带可调、可容 易地通过改变Ge组分对其禁带宽度加以精确调节等．而且利用SiGe材料制造半导体器件的工艺与 目前 通用的si的微电子技术兼容，为利用SiGe材料制造 电子器件提供了极为有利的条件．SiGe材料的出现 使硅材料进入到人工设计微结构材料的时代，使硅器件进入到异质结构、能带工程时代，使得 SiGe在 电子和光电子半导体器件中得到了广泛的应用：SiGe体单晶可用来制作温差 电池，低温热敏电阻；在 光电子领域，可用它作为衬底材料制作光探测器，如 1，探测器和IR探测器等，还可以被用作红外滤波 器和透镜 ；在太阳电池应用方面，可以进行 IR响应和载流子放大的数字模拟等 II-31．由于 SiGe材料与 器件具备某些硅材料与器件所不能达到的功能，所以有人又将其称为第二代半导体材料． Ge和si都是金刚石结构的四价半导体，Ge作为掺杂剂引入到si中，对硅材料性能的影响已引起人 们的广泛关注．特别是在网络通讯领域中SiGeHBT、SiGe功能器件、SiGeC新型结构器件的开发成功， SiGe材料的用途又得到进一步扩展．作为近年来兴起的新型半导体材料SiGe的研究，国内外有一系列 的报导 ：SiGe单晶中杂质 Ge能抑制硅中热施主 (TD)、新施主 (ND)的形成速率和最大浓度，影 响硅中的氧沉淀，提高硅片的机械性能，降低硅中点缺陷的浓度，提高硅片的抗辐照能力等．另外，应 用MBE、UHV-VLPCVD、RT-CVD等技术生长SiGe薄膜的研究、多层Si／Ge量子阱的研究，Sil—xGex／Si 超品格及异质结构的研究已有许多文献报导 [1~71．上述问题的研究与进展均涉及到硅中掺锗后锗的分布 形式及其在硅中的存在状态等．但对于CZ法生长的SiGe体单晶中Ge的分布均匀性及其与工艺的关系 的研究，报导的文献很少．与硅一样，杂质与缺陷及其在晶体中分布的均匀性直接影响半导体器件的可 靠性和电学特性，掺入 si中的Ge分布均匀性也直接影响SiGe体单晶质量和外延层的质量．因此，研 究Ge在 si中分布均匀性、确立Ge在si晶体生长过程中有效分凝系数及其与晶体生长工艺条件的关系 对制备大直径、均匀性好、位错密度低的SiGe单晶有着重要的实际意义． 1 实验方法 采用CZ (直拉)法生长 SiGe单晶，晶体生长方向为100，型号为P型，直径为 6Omln，掺锗浓 度分别为 1％、3％和 5％ (质量分数)，样品的基本参数如表 1．拉晶时采用高纯氩气 (5个 “9”)减压拉 收稿 日期：2003—08-15 基金项目：国家自然科学基金资助项 目 ；河北省自然科学基金资助项 目 (500016) 作者简介：牛新环 (1975．)，女 (汉族)，硕士生． 维普资讯 2 河 北 工 业 大 学 学 报 2